SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 최고속도인 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)를 구현한 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’의 상용화에 나섰다.회사는 최근 LPDDR5T를 미국 퀄컴 테크놀로지(Qualcomm Technologies; 이하 퀄컴)의 최신 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼(Snapdragon® 8 Gen 3 Mobile Platform)에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다고 25일 밝혔다.LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로,
CHJS(청두가오전, 成都高真科技) 설립 파트너였던 청두시⋅진세미 간의 합작 관계가 사실상 청산됐다. 대신 CHJS가 새 주인을 찾을때까지 진세미측이 기존 파일럿 라인을 유지보수하는 정도의 위탁 업무를 맡을 전망이다. CHJS는 삼성전자⋅SK하이닉스 D램 기술을 유출하는 한편, 국내 엔지니어들을 다수 영입해 중국서 양산을 시도했으나 좌초된 바 있다.
삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최하고, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.'메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석한 가운데 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim Elliott) 부사장, 업계
그래픽용 GDDR 규격에 우선 적용됐던 HKMG(하이케이메탈게이트) 공정이 일반 DDR 규격으로 확산하고 있다. GDDR이 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 한자릿수에 그친다는 점을 감안하면 HKMG 공정 수요가 폭발적으로 증가하는 초입에 들어선 것으로 판단된다. HKMG를 구성하는 하프늄 전구체와 이를 증착하기 위한 ALD(원자층증착) 장비에 대한 수요도 진작될 전망이다.
미국 정부가 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 현지 공장 미국산 반도체 장비 반입 규제 유예를 최종 허가하고 이를 미국 관보에도 게재했다. 이번 조치는 반도체 장비 관련 건별 허가를 받을 필요 없어 수출 통제가 사실상 무기한 유예되는 효과가 있다는 점에서 업계는 반기고 있다. 다만 미국 정부는 첨단 반도체 양산에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비 등 일부 품목은 반입 규제 유예에서 제외했다.지난 13일(현지시간) 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 공장에 대한 ‘검증된 최종 사용자(VEU)’ 규정을 개정한
SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 투자 재원 마련을 위해 엔비디아로부터 선수금을 수령한 것으로 파악됐다. 엔비디아 H100⋅A100 등 고성능 GPU(그래픽처리장치)용 HBM 수요가 폭증하는데 비해 최근 적자 탓에 SK하이닉스 투자 여력이 크지 않아서다. 선수금 수령 및 특정 고객사 전용 라인 구축은 그동안 로직 반도체 업계서 통용되던 방식으로, 메모리 반도체 분야에서는 전례가 없다.
그동안 CIS(이미지센서)나 로직 반도체 솔루션으로 부각됐던 하이브리드 본딩 기술이 메모리 반도체 분야로 침투하고 있다. 3D 낸드플래시에 이어 D램에서도 집적도를 높이기 위한 기술로서 하이브리드 본딩 기술이 적용될 전망이다.
반도체⋅디스플레이 공정용 환경제어장치 제조사 워트가 전공정에 이어 후공정까지 사업 영역을 확대한다.박승배 워트 대표는 11일 서울 여의도에서 열린 IPO(기업공개) 기념 기자간담회를 통해 “HBM(고대역폭메모리)과 디본딩 공정 같은 반도체 후공정 영역에서 환경제어장치 쓰임이 늘고 있다”고 말했다. 워트가 공급하는 환경제어장치 제품군은 크게 3종류다. 온도⋅습도를 동시에 제어하는 THC, 온도만 제어하는 TCU, 미세파티클을 걸러내는 FFU가 대표적이다. THC는 노광공정에 쓰이는 트랙장비에 붙어 장비 내 온습도를 유지해준다. 트랙장
SMIC와의 합작을 통해 5G 스마트폰 시장에 복귀한 화웨이가 내년에 연간 7000만대 판매 목표를 설정했다. 이를 위해 카메라모듈⋅렌즈⋅PCB(인쇄회로기판) 등 소재⋅부품 재고 축적을 시작한 것으로 전해졌다. 일본 닛케이아시아는 두 명의 스마트폰 산업 고위 관계자를 인용, 화웨이가 내년에 6000만~7000만대 스마트폰을 판매하기 위한 전략을 수립했다고 10일 보도했다. 이는 화웨이의 지난해 판매기록 3050만대의 두 배를 초과하는 수치다. 화웨이는 올해도 작년과 비슷한 수준의 스마트폰을 출하할 것으로 추정된다. 화웨이는 지난 2
일본 트리케미칼(TCLC)과 하프늄 전구체 특허 소송을 벌이고 있는 버슘머트리얼즈코리아(이하 버슘코리아)가 특허법원에 심결 취소소송을 제기했다. 지난 7월 하프늄 특허 무효 청구에 대한 특허심판원의 기각 결정을 취소해달라는 취지다. 하프늄은 최선단 D램 제조공정에 쓰이는 대표적인 하이케이(High-K, 고유전율) 소재로, 삼성전자⋅SK하이닉스 모두 특정 회사에서 독점 공급받고 있다.
SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 창립 40주년을 맞은 10일 “그동안 범용 제품(Commodity)으로 인식돼 왔던 메모리 반도체를 고객별 차별화된 스페셜티 제품으로 혁신해 가겠다”고 회사의 미래 전략을 제시했다.곽 사장은 이날 사내방송을 통해 방영된 ‘SK하이닉스 창립 40주년 특별대담’에서 이같이 밝히며 “(범용 제품 중심의) 과거 방식을 벗어나서 고객을 만족시키는 회사만이 살아남을 것”이라고 진단했다.본격적인 AI 시대로 접어들면서 인공지능의 학습 범위가 확장되고, 빅테크 기업들이 메모리 반도체에 요구하는 스펙이 다변화되고
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
근래 한국 반도체 기업들은 미국 정가 뉴스에 울고 웃는다. 미국 반도체법(CHIPS Act) 가드레일 규제안이 확정됐다는 소식에 낙담했다가, 삼성전자⋅SK하이닉스가 중국으로의 반도체 장비 반입 예외 적용을 무기한 인정받게 됐다며 안도했다. 그러나 삼성전자⋅SK하이닉스가 미국 상무부의 VEU(검증된최종사용자) 명단에 오른다고 해서 중국 시안⋅우시 공장 문제가 해소되지는 않는다. VEU 등재는 불가역적 조치가 아니며, 두 회사가 수십조 투자한 중국 공장들이 정치적 협상의 대상이라는 점은 달라진 게 없다. 중국 공장 투자가 시장 논리가
삼성전자가 노트북PC용 D램을 마더보드에 체결하는 새로운 방식을 제안했다. D램을 마더보드에 직접 실장한 것 만큼의 속도와 공간 활용성을 가지면서 기존 So-DIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)처럼 탈부착이 가능한 방식이다. 이를 통해 애플 ‘맥북'처럼 얇은 폼팩터의 노트북PC 디자인도 가능할 것으로 기대된다.
미국 정부가 자국 반도체법(CHIPS Act) 상 보조금을 수령하는 기업을 상대로한 규제안을 확정했다. 향후 미국에서 보조금을 받는 기업이 중국 내 반도체 공장 생산능력을 5% 이상 확대할 경우, 보조금 전액을 반환해야 한다는 게 골자다. 이러한 규제는 지난해 10월 미국 BIS(산업안보국)가 내놓은 수출 제한 조치 하에서 이뤄진다는 점에서, 국내 기업에 추가적인 제재 효과가 발생하지는 않을 전망이다.
중국 중저가 스마트폰 브랜드 아너의 자오밍 CEO(최고경영자)가 화웨이이와 합병설을 부인했다고 이사이글로벌이 21일 보도했다. 아너는 원래 화웨이의 중저가 서브 브랜드였다가 지난 2019년 화웨이가 미국 행정부 제재 대상에 오르자 이듬해 분리 독립했다. 아너까지 제재 대상에 올라 AP(애플리케이션프로세서) 등 부품 수급난에 빠질 것을 우려한 고육지책이었다. 현재 아너의 최대 주주는 중국 선전시 정부 기업인 선전즈신이다. 최근 중국 일부 언론에서는 화웨이가 자체 기술과 SMIC와의 협력을 통해 AP를 수급하는데 성공했고, 흥멍OS 생
HBM(고대역폭메모리) 생산 과정에서 SK하이닉스와 삼성전자의 가장 큰 차이는 여러장의 D램을 합착하는 방식이다. SK하이닉스가 기존 MR(매스 리플로, 납땜) 기술을 응용한 MR-MUF 방식을 채택한 반면, 삼성전자는 TC(열압착) 본딩 기술을 쓰고 있다. 다만 두 회사 모두 자체적으로 MR-MUF용 소재를 개발 중인데, SK하이닉스는 공급사 이원화 차원에서, 삼성전자는 MR-MUF 공정 도입을 목표로 하고 있다.
SK하이닉스는 자사의 서버용 D램 DDR5가 인텔의 CPU에 탑재돼 최고 수준의 성능을 구현해 냈다는 내용의 백서(Whitepaper)를 인텔과 공동 발행했다고 14일 밝혔다. 이 백서는 SK하이닉스와 인텔 홈페이지를 통해 동시에 공개됐다.양사는 DDR5 개발 단계부터 긴밀히 협업했고, 지난 8개월간 인텔 4세대 제온 스케일러블 프로세서(4th Gen Intel® Xeon® Scalable Processor, 이하 4세대 제온)에 DDR5를 탑재해 진행한 성능 검증 결과를 이 백서에 담았다.최근 서버 업계에서 저전력, 고성능 반도체
중국 파운드리 업체 SMIC가 자회사를 통해 메모리 반도체 사업 진출을 타진하고 있다. 시스템 반도체 설계에서 세계 최고 역량을 보유한 중국은 메모리 분야 만큼은 여전히 불모지에 가깝다. 앞서도 중국 내 메모리 자립 시도는 많았으나, 이번에는 최근 7nm(나노미터) 칩 양산으로 제조 기술을 검증받은 SMIC라는 점에서 업계가 주목하고 있다.