삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작하며 낸드플래시 시장에서의 리더십을 공고히 했다고 23일 밝혔다.삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 감소시키면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
미리넷솔라를 기억하는 이는 많지 않다. 2010년 전후 혜성처럼 등장한 이 회사는 한때 솔라셀 제조산업의 스타였다. “매일 아침 출근하면 회사 정문에 전국서 온 트럭들이 족히 수십미터 줄을 서고 대기했어요.” 전직 미리넷솔라 직원의 회고다. 일분일초라도 빨리 솔라셀을 가져가려는 고객사들이 자비를 들여 미리넷솔라 앞에 배송 트럭을 줄세웠다. 미리넷솔라 뿐이랴. 당시 ‘환경경영' 바람을 타고 전 세계가 친환경 전력생산에 올인했다. 덕분에 폴리실리콘⋅솔라셀⋅모듈⋅인버터, 심지어 전극용 실버페이스트 회사까지 초호황을 만끽했다. 그러나 짜릿
소니가 기존 HDD(하드디스크드라이브) 용량을 두 배로 늘려주는 레이저 다이오드를 양산한다. 한정된 스토리지 시장을 놓고 SSD(솔리드스테이트드라이브) 진영과의 경쟁에서 HDD가 한층 유리한 고지를 점할 전망이다. 소니는 미국 씨게이트테크놀로지와 협력해 5월부터 레이저 다이오드 신제품을 생산할 계획이라고 16일 밝혔다. 레이저 다이오드는 HDD 내에서 정보를 쓰거나 읽기 위해 사용하는 광학 부품이다. 레이저 다이오드 정밀도에 따라 같은 디스크에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 이번에 나온 신제품은 100만분의 1㎜ 공간에 레이저
지난해 3분기 매출이 1억원 남짓에 그치며 ‘실적 쇼크'를 일으켰던 파두가 4분기에도 기대에 못미치는 실적을 공개했다. 최근 AI(인공지능) 향 수요 덕에 GPU(그래픽처리장치)와 D램 관련 수요가 증가하고 있지만, 낸드플래시까지는 온기가 미치지 못하고 있다.
메모리 업계가 차세대 D램 구조로 상정하는 3D D램 양산을 위해 기존 대비 더 두꺼운 ArF(불화아르곤) PR(포토레지스트, 감광재) 개발이 선행되어야 할 것으로 보인다. 3D D램은 3D 낸드플래시와 마찬가지로 셀이 수직방향으로 적층된 구조로, 단수가 높아질수록 계단식으로 셀을 깊이 깎아내야 하기 때문이다.삼성전자는 지난 2013년 3D 낸드플래시 양산 과정에서 동진쎄미켐을 두꺼운(Thick) KrF(불화크립톤) PR 공급사로 선정했으며, 현재까지 이 회사에서만 관련 재료를 공급받고 있다.
대만 파운드리 업체 PSMC(파워칩세머컨덕터)가 일본에서 차세대 메모리로 꼽히는 M램(자기저항메모리)을 양산한다. 대만 디지타임스는 PSMC가 일본 M램 전문 스타트업 파워스핀과 파트너십을 맺고 12인치 웨이퍼 기반 M램 양산을 시도한다고 6일 보도했다. PSMC는 지난해 일본 금융지주사 SBI홀딩스와 합작을 통해 일본 혼슈 동북부 미야기현에 파운드리 공장을 짓기로 합의했다. 두 회사는 프로젝트를 진행할 합작사(JSMC)도 설립했다. JSMC는 총 2단계에 걸쳐 현지 공장을 지을 예정이며, 우선 1단계로 4200억엔(약 3조7500
중국 D램 제조사 CXMT(창신메모리)가 HBM(고대역폭메모리) 생산용 설비 사전 확보에 나섰다고 닛케이아시아가 1일 보도했다. HBM은 D램을 수직으로 적층한 뒤, 이를 TSV(쓰루실리콘비아)를 통해 연결해 데이터 처리 속도를 높인 제품이다. GPU(그래픽처리장치)⋅NPU(신경망처리장치) 등 AI(인공지능) 가속기에는 일반 GDDR 대비 대역폭이 큰 HBM을 붙여 연산속도를 높이는 추세다. CXMT가 HBM 장비 사전 확보에 나선 건, 아직 이들 장비는 미 행정부 제재 대상에 오르지 않았기 때문이다. 미 정부가 지난해까지 발표한
D램 공정 미세화가 한계가 뚜렷해지면서 낸드플래시 처럼 셀을 수직으로 세우는 시점이 앞당겨지고 있다. 지금까지는 EUV(극자외선) 노광 도입을 통해 미세화 허들을 넘어왔지만 이 역시 10나노급 6세대(D1c)에 이르러 더 이상 진전이 어려울 것으로 전망된다.정부 지원을 등에 엎고 D램 시장 진입을 추진하고 있는 CXMT(창신메모리)가 10나노급 D램 여러 단계를 뛰어 넘고 3D D램으로 직행할 가능성도 점쳐진다.
SK하이닉스가 10나노급 6세대 D램(D1c) 개발 펫네임을 ‘스피카(Spica)’로 정했다. 스피카는 10나노급에서는 마지막으로 양산될 세대로 전망되며, 최근 초기 양산을 시작한 5세대(D1b) 대비 EUV(극자외선) 레이어 수도 늘어날 것으로 예상된다.
최근 반등세를 탄 메모리 반도체 D램과 낸드플래시 가격이 올 1분기 두자릿수대의 가파른 상승 국면에 진입할 것이라는 전망이 나왔다. 메모리 가격 오름세에 힘입어 지난해 역성장했던 세계 반도체 매출액도 올해는 역시 두자릿수대의 증가세를 보일 것으로 예상됐다.지난 8일 대만 시장조사업체 트렌드포스는 D램 평균판매단가(ASP)가 작년 4분기 전 분기 대비 13∼18% 상승한 데 이어 올해 1분기에도 13∼18% 오를 것으로 예상했다.D램 제품 종류별로는 모바일 18∼23%, PC·서버·그래픽 각 10∼15%, 소비자용 8∼15% 등으로
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조업 그룹(삼성, SK, 현대차, LG) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1.
◇ 표준산업분류 7년 만에 개편…이차전지·전기차 등 추가조세 부과, 사회보험 적용, 공장 등록 등의 기준이 되는 한국표준산업분류(KSIC)가 7년 만에 개편된다. 수소, 이차전지, 전기차, 풍력발전 등 미래·성장산업 중심으로 개편이 이뤄졌다.통계청은 내년 1월1일 제11차 개정 한국표준산업분류(KSIC)를 고시하고, 준비 과정을 거쳐 내년 7월1일부터 시행한다고 28일 밝혔다.우선 국내 산업구조 변화를 반영해 ▲수소 ▲체외진단시약 ▲이차전지 ▲전기차▲풍력발전 ▲영상물·오디오물 제공 ▲가상자산 매매 및 중개 ▲온라인 플랫폼 활용 서비
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중국 전자소재 전문업체 딩룽홀딩스는 반도체 노광공정용 포토레지스트 양산라인을 신설한다고 26일 밝혔다. 후베이성 첸장에 들어설 신규 생산라인은 연산 300톤의 ArF(불화아르곤) 및 KrF(불화크립톤) 공정용 포토레지스트를 생산한다. ArF⋅KrF는 모두 DUV(심자외선) 노광에 속하는 기술로, EUV(극자외선)가 양산라인에 적용되기 전까지 가장 최선단 라인에서 활용됐다. ArF는 이머전 공정까지 혼용할 경우, 최저 14nm(나노미터) 선폭의 반도체를 만들 수 있다. KrF는 ArF 대비 감도는 떨어지지만 3D 낸드플래시 생산라인에
TSMC가 일본 팹 운영을 위해 설립한 자회사 JASM(Japan Advanced Semiconductor Manufacturing)이 장비 국산화 목표를 제시했다고 대만 디지타임스가 15일 보도했다. 이날 호리타 유이치 JASM 대표는 ‘세미콘재팬 2023’에서 기조연설을 통해 “현재 25% 수준인 장비 국산화율을 2026년까지 50%, 2030년까지 60% 수준으로 높일 것”이라고 말했다. 지난해 기준 글로벌 ‘톱10’ 반도체 장비 업체는 ▲어플라이드머티어리얼즈 ▲ASML ▲램리서치 ▲TEL ▲KLA ▲어드반테스트 ▲스크린홀딩스
SK하이닉스의 D램 라인 가동률이 내년 2분기 정상화 궤도에 오를 전망이다. 올해 초 시작한 감산을 통해 재고를 상당 부분 소진했고, 시장가격도 오름세로 전환했기 때문이다. 다만 아직 이렇다 할 돌파구를 찾지 못하는 낸드플래시는 내년 연중 현재의 감산 기조가 유지될 것으로 예상된다. 관련 소부장 기업들도 낸드플래시 보다는 D램 비중이 높은 회사들의 실적 회복이 빠를 전망이다.