대만 파운드리 업체 PSMC(파워칩세머컨덕터)가 일본에서 차세대 메모리로 꼽히는 M램(자기저항메모리)을 양산한다. 

대만 디지타임스는 PSMC가 일본 M램 전문 스타트업 파워스핀과 파트너십을 맺고 12인치 웨이퍼 기반 M램 양산을 시도한다고 6일 보도했다. PSMC는 지난해 일본 금융지주사 SBI홀딩스와 합작을 통해 일본 혼슈 동북부 미야기현에 파운드리 공장을 짓기로 합의했다. 두 회사는 프로젝트를 진행할 합작사(JSMC)도 설립했다. 

JSMC는 총 2단계에 걸쳐 현지 공장을 지을 예정이며, 우선 1단계로 4200억엔(약 3조7500억원)을 들여 오는 2027년 첫 양산에 들어간다. 2단계 투자는 2029년 양산 계획인데 M램 라인은 이 2단계 투자를 통해 신설할 계획이다. 

M램은 낸드플래시와 마찬가지로 전원 공급이 끊겨도 데이터가 소실되지 않는 비휘발성 메모리의 일종이다. 낸드플래시 만큼 집적도를 높일 수는 없지만 데이터 쓰기 속도가 D램에 견줄 정도로 빠르다. 대규모 데이터를 저장할 필요는 없지만 빠른 읽기⋅쓰기 속도가 지원되어야 하는 애플리케이션을 중심으로 M램 수요가 늘어날 전망이다. 업계는 자동차용 메모리 관점에서 M램의 쓰임새에 주목하고 있다. 

자동차에서 주행과 관련한 데이터들은 필요할 때 빨리 읽어들이고 갱신해야 함은 물론이고, 설사 배터리가 방전됐을 때도 데이터가 소실되어서는 안 된다. 여기에 M램과 노어플래시 등 이른바 ‘니치 메모리'가 좋은 솔루션이 될 수 있다. 자동차용 반도체 업계 1위인 네덜란드 NXP는 지난해 대만 TSMC와 16nm(나노미터) 핀펫 공정 기반의 M램 출시를 위해 협업키로 했다고 밝힌 바 있다. 

PSMC는 아직 고객사가 어디가 될 지 밝히지는 않았지만, 역시 일본 내 자동차용 반도체 회사나 완성차 회사와의 협업을 진행하게 될 것으로 예상된다. TSMC⋅PSMC 등 대만 파운드리 회사들이 일본 현지 생산라인을 짓게 된 계기가 일본 정부의 자동차용 반도체 자급화 노력의 일환이기도 하다. 일본 정부는 PSMC와 SBI홀딩스의 파운드리 프로젝트에 약 1400억엔의 보조금을 지원할 것으로 알려졌다.