중국 트루스메모리(致真存储, Truth Memory Corporation)가 중국 칭다오에 칭다오무역진흥협회와 공동으로 구축 중인 신규 생산 기지 상량식(건축물 골조 공사 완료 축하 행사)이 지난 23일 진행됐다. 조만간 내외장 공사를 마치고 설비 반입을 시작할 계획이다.

이 곳에는 R&D(연구개발)과 차세대 M램 생산용 8인치 및 12인치 웨이퍼 제조 시설이 들어설 예정이다.

이 사업의 총 투자액은 30억위안(약 5910억원)이고, 건물 총 면적은 50에이커(약 20만m2)로, 풀 가동시 월 400만개의 칩을 생산할 수 있다. 공사는 지난해 5월 착공식부터 공식 시작됐다.

향후 공장이 완공되면 트루스메모리의 칭다오 자회사 하이메모리(存微电子, Hi Memory Microelectronics)가 시설을 운영할 계획이다.

트루스메모리는 지난 2019년 설립된 M램 개발 전문 회사로, 본사는 베이징이다. 스핀메모리 칩 기술 개발에 주력하고 있다. M램의 핵심 부분인 자기터널집합(MTJ) 부분을 독자 개발했다고 회사측은 밝히고 있다. 이를 위한 8인치 웨이퍼 제조 라인과 후공정 파일럿 라인을 보유하고 있다. 벤처 투자사 카스스타(中科创星, Cas Star), 푸화캐피탈(普华资本), CETC(中电海康, HIK비전)그룹 등으로부터 전략적 투자를 받은 바 있다.

이 사업은 칭다오시의 핵심 프로젝트로, 발표 전부터 큰 관심을 모아 왔다고 회사측은 설명했다. 칭다오시는 2023년 11월부터 칭다오 고품질 개발 건설 프로젝트를 발족하고 총 313억위안(약 6조 1674억원)을 투자해 88개의 주요 건설 프로젝트를 진행하고 있다.

이는 중국 공산당의 핵심 산업 ‘10+1’ 계획에 발맞춘 것이다. M램은 ‘10+1’ 핵심 산업 중 하나로 선정됐다.