인텔 파운드리(Intel Foundry)는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 구역에 위치한 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)’ 노광장비 조립을 완료하며 첨단 반도체 제조 분야에서 중요한 이정표를 달성했다고 19일 밝혔다.노광장비 업체 ASML사 제품인 인텔의 하이 NA EUV 장비 ‘트윈스캔 EXE:5000(TWINSCAN EXE:5000)’은 인텔의 첨단 공정 로드맵 개발에 사용될 준비를 위해 여러 조정(calibration
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.◇ 반도체 업계소식 - 신에츠화학, 56년 만 소재 공장 자국내 신설 ◇ 전기차 업계소식 - 현대차·기아, 첫 인도산 배터리 탑재…'인도' 전기차 승부수 ◇ 자율주행 업계소식 - GM 자율주행회사, 사업 재개…美 피닉스 등서 도로정보수집 시작 ◇ 디스플레이 업계소식 - OLED 봄이 온다…“3년 만에 반등”
미국 어플라이드머티어리얼즈(이하 어플라이드)가 EUV(극자외선) 공정 단축을 목표로 출시한 ‘센츄라 스컬프타(이하 스컬프타)'가 브릿지 불량 제거 성능까지 겸비한다. 이를 통해 반도체 제조 수율을 높이고 생산속도를 개선할 수 있을 것으로 기대한다. 어플라이드는 4일 경기도 성남시 한국지사에서 열린 미디어 라운드테이블을 통해 스컬프타의 브릿지 결함 제거 기능을 새로 선보인다고 밝혔다. 스컬프타는 어플라이드가 지난해 새롭게 출시한 패터닝 장비다. 웨이퍼 표면을 기준으로 최대 70도까지 플라지마 빔 조사각을 컨트롤해 EUV 없이도 미세
파운드리 업계에서 일본 래피더스(Rapidus)는 논쟁거리다. 40nm(나노미터)가 최선단 공정일 정도로 팹 투자가 뒤처진 일본에서 단숨에 2nm 양산을 목표로 제시했기 때문이다. 그들 목표대로 2027년 2nm 반도체 양산에 성공한다면 삼성전자는 인텔에 이어 다시금 새로운 경쟁자와 맞닥뜨리게 된다. EUV(극자외선) 기술 등장과 함께 경쟁사가 자연 도태되던 시기가 끝나고, 파운드리 업계는 다시 ‘군웅할거'의 시대로 접어들고 있다.
한국머크는 반도체용 고유전율 전구체(프리커서) 제조사 엠케미칼을 자회사인 버슘머티리얼즈코리아에 통합한다고 1일 밝혔다. 엠케미칼은 지난 2022년 국내 기업인 메카로의 전구체 사업부문을 물적분할해 설립한 회사다. 지난해 공정거래위원회 기업결합 심사를 거쳐 머크 자회사로 편입됐다. 이날 엠케미칼을 버슘머티리얼즈코리아에 통합함으로써 시스템과 법인을 단순화했다고 한국머크는 설명했다. 버슘머티리얼즈 역시 반도체용 전구체가 주력사업이지만 생산품목은 엠케미칼과 차이가 있다. 버슘머티리얼즈는 주로 DPT(Double Patterning Tech
일본 PR(포토레지스트) 공급사 TOK는 올해 AI(인공지능) 반도체 시장 성장에 힘입어 EUV(극자외선) PR 매출이 전년 대비 35% 증가할 것이라고 29일 밝혔다. TOK는 일본 JSR⋅스미토모화학, 미국 듀폰과 더불어 EUV PR 시장을 과점하는 회사다. EUV 뿐만 아니라 ArF(불화아르곤, 시장점유율 16.2%), KrF(불화크립톤, 36.6%), g라인⋅i라인(22.8%) 분야에서도 적지 않은 점유율을 보유하고 있다. 회사측은 특히 AI 반도체가 EUV 및 ArF PR 시장 성장을 촉진할 것으로 예상했다. AI 반도체로
반도체⋅디스플레이용 메탈마스크 제조사 DNP(다이니폰프린팅)가 2nm(나노미터) 공정용 포토마스크 개발에 돌입했다. 향후 양산 체제 구축을 위해 MBMW(멀티빔마스크라이터)를 2대 더 주문하기로 했다. DNP는 2nm 로직반도체 노광공정을 위한 포토마스크 R&D(연구개발)를 시작했다고 27일 밝혔다. EUV(극자외선) 노광공정에 쓰이는 포토마스크는 원판인 블랭크마스크에 MBMW 장비로 패턴을 그려 생산한다. 블랭크마스크는 일본 신에츠⋅호야⋅아사히글래스가 과점하고 있으며, 여기에 패턴을 떠 포토마스크화 하는 작업은 반도체 회사가 직접
엔비디아가 ‘GTC2024’에서 공개한 새로운 GPU(그래픽처리장치) ‘B200’은 이전 세대를 압도하는 성능 외에 제조 방식 측면에서 큰 변곡점을 만들었다. 엔비디아 제품으로는 처음 칩렛 구조를 도입함으로써 더 이상 다이 사이즈를 늘리지 않고도 전체 시스템 성능을 높일 수 있게 됐다. 여기에 각 칩렛을 연결하는 기술 중 ‘가성비’ 공정으로 꼽히는 TSMC의 ‘CoWoS-L’에도 관심이 집중됐다.
SK하이닉스가 중국 우시 공장에서 생산하는 D램 세대 전환을 놓고 웨이퍼를 항공 이송하는 방안을 최종 선택했다. 당초 ArF-i(불화아르곤 이머전) 노광을 여러번 반복해 EUV(극자외선) 급의 패턴을 구현하는 방안도 고려됐으나 효율성 측면에서 우시와 경기도 이천 공장을 오가는 게 낫다고 판단한 것으로 보인다. 다만 항공 이송 방법도 향후 EUV 레이어 수가 늘어날수록 효율성이 떨어지는 탓에 우시 공장 문제는 당분간 SK하이닉스의 고민거리로 남을 전망이다.
일본 반도체 장비업체 도쿄일렉트론(TEL)이 사상 처음 시가총액에서 소니를 제치고 일본 증시 3위에 올라섰다. 최근 AI(인공지능) 서비스 확대에 따라 반도체 수요가 증가하고, 뜸했던 자국 내 반도체 팹 건설 수요도 폭발할 것으로 예견된 덕분이다. 22일 마감된 도쿄 증시에서 TEL의 시가총액은 이전 거래일 대비 6% 오른 17조2500억엔(약 152조4500억원)으로 마감됐다. 전날 미국 GPU(그래픽처리장치) 공급사 엔비디아가 시장 예상을 뛰어 넘는 분기 매출을 발표하면서 관련 종목으로 분류된 TEL 주가도 크게 오른 것으로 풀
메모리 업계가 차세대 D램 구조로 상정하는 3D D램 양산을 위해 기존 대비 더 두꺼운 ArF(불화아르곤) PR(포토레지스트, 감광재) 개발이 선행되어야 할 것으로 보인다. 3D D램은 3D 낸드플래시와 마찬가지로 셀이 수직방향으로 적층된 구조로, 단수가 높아질수록 계단식으로 셀을 깊이 깎아내야 하기 때문이다.삼성전자는 지난 2013년 3D 낸드플래시 양산 과정에서 동진쎄미켐을 두꺼운(Thick) KrF(불화크립톤) PR 공급사로 선정했으며, 현재까지 이 회사에서만 관련 재료를 공급받고 있다.
D램 공정 미세화가 한계가 뚜렷해지면서 낸드플래시 처럼 셀을 수직으로 세우는 시점이 앞당겨지고 있다. 지금까지는 EUV(극자외선) 노광 도입을 통해 미세화 허들을 넘어왔지만 이 역시 10나노급 6세대(D1c)에 이르러 더 이상 진전이 어려울 것으로 전망된다.정부 지원을 등에 엎고 D램 시장 진입을 추진하고 있는 CXMT(창신메모리)가 10나노급 D램 여러 단계를 뛰어 넘고 3D D램으로 직행할 가능성도 점쳐진다.
SK하이닉스가 10나노급 6세대 D램(D1c) 개발 펫네임을 ‘스피카(Spica)’로 정했다. 스피카는 10나노급에서는 마지막으로 양산될 세대로 전망되며, 최근 초기 양산을 시작한 5세대(D1b) 대비 EUV(극자외선) 레이어 수도 늘어날 것으로 예상된다.
SK하이닉스가 올해 최소 6대 이상의 EUV(극자외선) 노광장비를 도입한다. 최선단 D램인 10나노급 5세대(D1b, 루시)들어 EUV 적용 레이어가 늘면서 관련 공정 수요가 증가할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 지난해 설비투자 규모를 크게 줄이면서 EUV 도입 목표를 절반 이하로 크게 축소한 바 있다.
미국 OLED 재료업체 UDC가 개발 중인 청색 인광 재료는 인광 도판트에 TADF(열활성화지연형광) 도판트가 섞인 ‘투 도판트' 시스템인 것으로 파악됐다. 삼성디스플레이는 UDC의 청색 인광 재료를 내년 하반기쯤 양산 도입할 예정인데, 기존 인광 도판트만으로는 수명⋅효율 측면에서 불리하다고 판단한 것으로 보인다.
중국 전자소재 전문업체 딩룽홀딩스는 반도체 노광공정용 포토레지스트 양산라인을 신설한다고 26일 밝혔다. 후베이성 첸장에 들어설 신규 생산라인은 연산 300톤의 ArF(불화아르곤) 및 KrF(불화크립톤) 공정용 포토레지스트를 생산한다. ArF⋅KrF는 모두 DUV(심자외선) 노광에 속하는 기술로, EUV(극자외선)가 양산라인에 적용되기 전까지 가장 최선단 라인에서 활용됐다. ArF는 이머전 공정까지 혼용할 경우, 최저 14nm(나노미터) 선폭의 반도체를 만들 수 있다. KrF는 ArF 대비 감도는 떨어지지만 3D 낸드플래시 생산라인에
반도체 업계가 차세대 노광기술 핵심으로 꼽고 있는 ‘하이 NA EUV’ 설비가 높은 가격 대비 생산성이 낮은 탓에 실제 양산 라인에서 도입되는 속도가 더딜 것이란 전망이 나왔다. 하이 NA EUV는 극자외선 빛의 집광능력을 나타내는 렌즈 NA(개구수)가 기존 0.33 대비 0.55로 높아진 신규 설비다. TSMC⋅인텔, 삼성전자 파운드리 사업부는 물론 D램 업계도 일반 EUV 다음 솔루션으로 하이 NA EUV 설비 도입을 검토하고 있다.
듀폰이 최근 삼성전자 인재교육원 UniverSE에서 진행된 M-day(Material-day)에서 ESG(환경·사회·지배구조) 부문 베스트 파트너 어워즈를 수상했다고 19일 밝혔다. 삼성전자 DS부문 소재기술팀 주관으로 개최된 M-day는 반도체 소재 파트너사를 초청해 지난 1년간 우수한 성과를 거둔 파트너사를 시상하고, 삼성의 소재 기술과 품질 경영 방향에 대한 이해도를 높일 수 있는 교류의 기회를 만들기 위해 마련됐다.듀폰이 수상한 ESG 베스트 파트너 어워즈는 한해 동안 삼성전자의 친환경 반도체 소재 기술 개발에 협력하며 지속
◇ UNIST, 붕소-질소 결합한 유기 반도체 재료 합성 성공UNIST(울산과학기술원)는 화학과 박영석 교수팀이 연속적인 붕소-질소(BN) 결합을 통해 새로운 안트라센 유도체인 ‘BNBN 안트라센’ 분자를 합성했다고 14일 밝혔다. 또한 붕소-산소(BO) 결합과 붕소-질소(BN) 결합이 연속적으로 연결돼있는 ‘BOBN 안트라센’ 분자를 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)의 청색 호스트로 사용했다. 개발된 안트라센 분자는 낮은 전압에서도 구동 가능해 유기 반도체의 재료로서 가능성을 확인
산제이 메로트라 마이크론 CEO는 6일 대만 타이중에서 열린 4공장 개소식에서 “향후 AI(인공지능)용 메모리 반도체 생산에 대만⋅일본 생산기지가 중추적 역할을 할 것”이라며 "해당 지역 내 투자를 늘리겠다"고 말했다. 타이중 4공장은 마이크론이 HBM(고대역폭메모리) 생산을 위해 구축한 시설이다. 내년 1분기 본격 양산되며, 여기서 생산된 HBM은 인근 TSMC 패키지 생산라인으로 공급될 전망이다. 마이크론은 SK하이닉스나 삼성전자에 비하면 HBM 시장에 뒤늦게 뛰어 들었다. 2024 회계연도(2023년 9월~2024년 8월) 기