최근 엔비디아가 불러 일으킨 반도체 시장 훈풍은 정확하게는 ‘AI 반도체’로 불리는 서버용 GPU(그래픽처리장치) 시장에 제한적으로 불고 있다. 아직 메모리 반도체 산업 전반적으로 재고가 산적하지만 GPU 모듈을 구성하는 HBM(고대역폭메모리) 수요만큼은 견조한 게 그 증거다. 그러나 GPU 수퍼 사이클을 타고 HBM 출하가 지속적으로 늘기 위해서는 TSMC의 CoWoS(칩온웨이퍼온서브스트레이트) 병목이 시급히 풀려야 한다.
오버레이 계측장비 전문업체 오로스테크놀로지(대표 이준우, 최성원)가 최근 국내 주요 고객사에 신규 패키징용 계측장비를 공급했다고 28일 밝혔다.오로스테크놀로지가 해당 고객사의 패키징 공정에 진입한 것은 2019년부터이며, 차세대 패키징 시장의 성장과 함께 향후 공급을 확대할 수 있을 것으로 기대하고 있다.오로스테크놀로지가 이번에 공급한 장비는 회사의 최신형 12인치 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 오버레이 장비인 ‘OL-900nw’다. 이전 모델인 ‘OL-300nw’ 대비 기기 사이즈를 줄이고, 오버레이 및 CD(임계 치수) 계측 성능
SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램인 ‘HBM(High Bandwidth Memory)3’의 기술적 한계를 다시 한번 넘어섰다.회사는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 종전 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. SK하이닉스는
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
영창케미칼(대표 이성일)이 반도체 필수 공정용 신소재인 화학적기계연마(CMP) 공정용 텅스텐 슬러리와 실리콘관통전극(TSV) 슬러리 등 2종의 신제품 양산을 시작한다고 27일 밝혔다.텅스텐 슬러리는 금속계열 슬러리의 주요 소재인 구리(Cu)에 비해 연마도가 우수하고 전도성이 뛰어나 차세대 대체제로 주목 받고 있으며, TSV 슬러리는 기존 와이어 본딩을 대체하는 기술이다.CMP 공정은 웨이퍼 박막을 화학적으로 연마해 평탄화하는 공정으로, 반도체 수율에 결정적인 영향을 미치는 필수 공정이다. 고집적 반도체 생산을 위해서는 수십 번의 C
지멘스 EDA 사업부 (http://www.siemens.com/eda)는 1일 자사의 광범위한 EDA 솔루션이 TSMC 파운드리의 최신 공정 기술에 대해 인증을 획득했다고 발표했다. 또 지멘스와 TSMC의 최근 협력을 통해 양사 상호 고객과 관련된 주요 이정표를 성공적으로 달성했다고 밝혔다. 여기에는 3D IC의 실현, 클라우드 분야에서의 추가적인 EDA 발전, 이밖에 다양한 이니셔티브의 성공 사례 등이 포함돼 있다.지멘스의 IC 물리검증 사인오프용 캘리버(Calibre®) nmPlatform 툴은 TSMC의 첨단 N4P 및 N3
런던, 2022년 10월 11일 /PRNewswire/ -- 세계에서 가장 수익성이 높은 AI 비즈니스인 챗봇/가상 디지털 비서 시장은 강력하고 다양한 기업들이 존재하는 시장으로 남을 전망이다. 옴디아(Omdia)는 최근 발표한 보고서에서 광범위한 평가가 이루어지는 기존 기술 시장 트렌드와는 반대로, 챗봇/VDA(Virtual Digital Assistants) 솔루션은 소수의 큰 기업들이 시장을 지배하지 않을 것으로 내다봤다. 옴디아의 수석 분석가 마크 베큐(Mark Beccue)는 "챗봇 솔루션 시장...
국내와 중국을 거점으로 생산 라인을 운영해온 SK하이닉스가 첫 미국 공장 건설에 나선다. 삼성전자가 파운드리를 앞세워 미국 현지 생산체제를 갖춰왔지만, 메모리 사업 비중이 절대적인 SK하이닉스는 미국 진출 명분이 다소 부족했다. 고객과의 접점이 중요한 파운드리 사업과 달리, 메모리는 조금이라도 더 싸게 생산하는 게 우선이다. 관련 산업이 한국⋅중국⋅일본⋅대만 등 동아시아를 중심으로 발전해 온 이유다. 특히나 이번에 SK가 미국에 짓기로 패키지(후공정)는 팹 대비 인건비 비중이 훨씬 높다는 점에서 향후 SK하이닉스의 행보에 관심이 쏠린다.
2일 대만 패키징 기업 ASE가 수직 상호 연결 통합 패키징을 위한 신규 첨단 패키징 플랫폼 'VIPack'을 출시했다. VIPack은 ASE의 설계 규칙을 확장하면서 초고밀도와 고성능 설계를 가능하게 하는 차세대 3D 이형질 통합 아키텍처다. 이 플랫폼은 고급 재배선(RDL, Redistributed Layer) 프로세스, 임베디드 통합 및 2.5D/3D 패키징 기술을 활용해 고객이 미래 애플리케이션을 위한 단일 패키지에 여러 칩을 통합할 수 있게 지원한다. ASE VIPack 플랫폼은 6가지 핵심 패키징 기술로 구성돼있으며 통합
TSMC가 고급 패키징 기술을 적용하는 주난 공장의 양산을 하반기 시작할 예정이다. 중국 언론 지웨이왕이 인용한 대만 언론에 따르면 TSMC의 주난 첨단 패키징 공장 'AP6'이 올해 3분기 양산에 돌입한다. 2D/2.5D 패키징 이외 대규모 3D 패키징 양산 계획을 갖고 있어 시장의 관심이 높다. TSMC는 지난 몇 년간 고급 패키징 기술 방면에서 InFO, CoWoS 성능 방면에서 성과를 내왔다. 이중 2.5D InFO는 애플의 A시리즈 스마트폰 프로세서 판매량이 늘어나면서 70%를 차지하는 TSMC 첨단 패키징
삼성전기가 3000억원을 들여 부산사업장에 FC-BGA(플립칩-볼그리드어레이) 기판 라인을 증설한다. 삼성전기는 지난해 12월에도 베트남법인에 1조3000억원을 투자해 역시 FC-BGA 라인을 신설키로 결의한 바 있다. 최근 애플이 ‘M1 울트라’를 통해 보여줬듯, 고성능 반도체 구현을 위한 핵심 키가 2.5D 패키지와 FC-BGA라는 점을 고려한 결정이다.
ACM 리서치(ACM Research, Inc.)는 화합물 반도체 제조를 위한 새로운 종합 장비 시리즈를 출시했다고 4일 밝혔다. ACM의 150mm-200mm 브리지 시스템은 갈륨비소(GaAs), 갈륨질화물(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 공정을 포함한 화합물 반도체를 위한 프론트엔드 세척 및 광범위한 WLP 애플리케이션을 지원한다. 화합물 반도체 습식 공정 포트폴리오에는 코팅기, 현상액, 포토레지스트(PR) 스트리퍼, 습식 식각 장비, 클리닝 장비 및 금속 도금 장비가 포함되어 있으며, 평면 또는 노치 웨이퍼를 위한 자동화
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다. ◇반도체 업계 소식-마이크론, 일본에 D램 공장 신축 ◇ 전기차 및 자율주행 업계 소식 - LFP(리튬인산철) 배터리 시대 성큼
SK하이닉스는 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 그동안 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E) 순으로 개발돼 왔다.SK하이닉스는 지난해 7월 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발했다. SK하이닉스측은 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은
반도체 장비업체 ACM리서치는 300㎜ 웨이퍼용 과산화황 혼합물 시스템(SPM) 장비를 출시했다고 30일 밝혔다. 이 장비는 첨단 메모리·비메모리 공정을 가리지 않고 습식 세정 및 식각 공정에 적용할 수 있다. 특히 고용량 이온을 활용한 PR(포토레지스트) 제거 공정과 금속 식각·스트립 공정에 적합하다. 데이비드 왕(David Wang) ACM리서치 CEO(최고경영자)는 “이번에 개발한 싱글SPM 장비는 기존 'Ultra C Tahoe' 장비를 기반으로 한다"며 "ACM리서치는 첨단 고온 이소프로필 알코올(IPA) 건
삼성전기가 가로 세로 크기가 65㎜인 FC-BGA(플립칩-볼그리드어레이) 기판 샘플을 테스트하고 있다. FC-BGA는 서버용 CPU(중앙처리장치)를 2.5D 패키지하는 비중이 높아지면서 공급이 수요를 따라잡지 못할 정도다.
삼성전자는 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)' 공정을 적용한 고용량 D램 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. 이번에 개발한 제품은 DDR5 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용, 512GB까지 용량을 늘렸다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4 대비 최대 대역폭(밴드위스⋅전송속도)이 2배 이상 크다. 향후 7200Mbps까지 데이터 전송속도가 빨라질 전망이다. 이는 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 1초에 처리할 수 있는