SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램인 ‘HBM(High Bandwidth Memory)3’의 기술적 한계를 다시 한번 넘어섰다.

회사는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다. 

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 종전 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. 

SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF와 실리콘관통전극(TSV)기술을 적용했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 기존 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가 받고 있다. 

SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다고 밝혔다.

SK하이닉스가 지난 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을 받고 있다. 특히 최신 규격인 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며, 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있다.

회사는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이다.