중국 3세대 반도체 산업의 핵심 기지가 될 싼안옵토일렉트로닉스의 반도체 공장이 가동에 돌입했다. 

23일 싼안옵토일렉트로닉스의 자회사인 싼안반도체의 후난(湖南) 싼안 반도체 기지 1기 공장이 시생산에 들어가 공정 조율과 테이프아웃 단계에 진입했다.  

중국 처음으로 실리콘카바이드(SiC) 수직 공급망을 갖춘 이 공장은  월 3만 장의 6인치 SiC 웨이퍼를 생산할 수 있다. 이 기지 건설에는 총 160억 위안(약 2조8019억 원)이 투자됐다. 

중국 3세대 반도체 산업에 중요한 의의를 가지는 공장으로 평가되고 있다. 이 공장에선 실리콘카바이드, 질화갈륨 등 3세대 반도체 생산과 연구개발이 이뤄지게 된다. 

창사(长沙)가오신(高新)산업단지에 위치한 1000묘(亩) 규모의 용지에 지난해 7월 착공했다. 

23일 오전 열린 공장 가동식에는 싼안옵토일렉트로닉스 경영진 등이 참여했다. 

이 공장에선 연간 120억 위안(약 2조1014억 원) 규모 제품 생산이 이뤄지게 된다. 

싼안반도체는 자체 실리콘카바이드 제조 장비 특허 등을 기반으로 제품을 대량 생산해 통신, 서버 전원, 태양광, 친환경 자동차 변속기, 차량용 충전기와 충전소, 전력망, 철도 교통 등에 공급할 예정이다. 

아직 실리콘카바이드 반도체 사업이 초기인만큼 응용 영역 개척에 적극적으로 나서겠단 계획이다. 

또 질화갈륨 부품은 스마트폰 고속 충전, 데이터 센터 전원 등 다양한 영역에 적용되고 있는 만큼 향후 시장 전망을 밝게 내다보고 있다.