SiC 화합물 반도체 개발 및 산업화 중점

중국 싼안옵토일렉트로닉스(Sanan Optoelectronics)가 15일 중국 창사(长沙)가오신(高新)기술산업개발구관리위원회와 '프로젝트 투자 건설 협약'을 체결했다고 밝혔다. 싼안옵토일렉트로닉스가 창사에 자회사를 세우고 제3세대 반도체 산업 단지를 건설하는 내용이 요지다. 총 투자액은 160억 위안(약 2조7397억 원)이다. 

싼안옵토일렉트로닉스는 중국 최대 LED 에피택셜 및 칩 생산 기업으로서 최근 적극적으로 무선주파수(RF), 광통신, 전기전자 등 반도체 칩 사업을 확장하고 있다. 

이번 프로젝트는 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 제3세대 반도체 연구 개발과 산업화 기지를 짓는 데 주안점을 두고 있다. 

 

싼안옵토일렉트로닉스. /싼안옵토일렉트로닉스 제공

 

일환으로 이 기지는 결정 성장 즉 기판 제조, 에피택셜 생장(Epitaxial growth), 칩 제조, 패키징에 이르는 전체 사이클을 포함해 건설된다. 6인치 SiC 도전(导电)기판, 4인치 반(半)절연기판, SiC 다이오드 에피택셜, SiC 모스펫(MOSTET) 에피택셜, SiC 다이오드 에피택셜 칩, SiC 모스펫 칩, 그리고 SiC 부품 패키징 다이오드, SiC 부품 패키징 모스펫 등 제품에 대한 연구개발, 생산, 판매에 주력할 계획이다. 

싼안옵토일렉트로닉스와 창사가오신기술산업개발구관리위원회 양측 협약을 통해 토지 수속 작업과 관련 조건을 갖춘 후 24개월 내 1기 공장의 건설과 시생산에 돌입할 예정이다. 또 48개월 내 2기 공장 건설과 투자를 거쳐 시생산에 돌입하고 72개월 내 모든 공장의 생산에 돌입한다. 

이번 프로젝트를 통해 주로 로우엔드 반도체 전기전자 기판 공급망을 강화하게 된다. 

싼안옵토일렉트로닉스는 지난해 회사의 반도체 및 전기전자 상품을 위한 고전력밀도 실리콘카바이드 다이오드 및 모스펫과 실리콘기판질화갈륨 전력 부품을 친환경자동차, 충전기, 태양광 변전기 등 전원(Power) 시장에 공급하고 있다고 밝힌 바 있다. 이미 고객 수가 60곳을 넘으며 27종의 상품이 양산 단계에 있다. 

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