HPC 반도체 패키지 솔루션으로 개발
배선폭 2/2μm 구현 목표인 듯

중국 반도체 소재⋅부품 회사 에스윈(Eswin)이 FO-PLP(팬아웃-패널레벨패키지) 투자를 본격화하고 있다. FO-PLP를 통해 서버용 2.xD 패키지 서비스를 제공한다는 목표다. 에스윈은 BOE 창업자이자 ‘중국 LCD 산업의 아버지’로 불리는 왕둥성 회장이 창업한 또 다른 회사다. 

지난 2020년 장원기 전 삼성전자 LCD 총괄 사장이 영입됐다가 국내 여론이 악화되자 직에서 물러난 회사로 회자된 바 있다.

FO-PLP 기술을 이용한 2.xD 패키지. /자료=에친트
FO-PLP 기술을 이용한 2.xD 패키지. /자료=에친트

 

에스윈, 2년간 FO-PLP용 장비 58건 발주

 

에스윈의 사업 부문은 크게 3개로 나뉜다. ▲베이징 기반의 반도체 설계 ▲청두를 거점으로 한 반도체 후공정 ▲시안의 실리콘 웨이퍼 사업 등이다.

이 가운데 반도체 후공정 사업은 에친트(Echint)라는 자회사를 통해 영위하고 있다. 이 회사의 사업 목표가 FO 기술로 첨단 패키지 서비스를 제공하는 것이다. 삼성전자⋅TSMC와 마찬가지로 FO-PLP를 이용한 2.xD 패키지 솔루션을 개발하고 있다.  

이 회사 홈페이지에는 FO-PLP로 구현할 2.xD 패키지의 L/S(라인앤드스페이스, 배선폭)가 2/2μm(마이크로미터)라고 설명한다. 최신 GPU(그래픽처리장치)와 HBM(고대역폭메모리)을 연결하기 위해 필요한 L/S 수준이 2/2μm다. 이미 2016년부터 FO-PLP를 양산해 온 삼성전자가 현재 구현 가능한 L/S의 최선은 5/5μm다. 따라서 에친트가 내건 2/2μm는 현재 구현 가능한 수준이라기 보다 향후 고객사들에게 제공할 목표로 볼 수 있다.

또 에친트는 FO-PLP 공정 순서로 RDL(재배선층)을 먼저 형성하고 그 위에 반도체 칩을 배열하는 ‘칩 라스트(Chip Last)’ 방식을 택한 것으로 보인다. 칩 라스트 방식은 지지기판에 칩을 먼저 본딩한 뒤, 그 위로 RDL을 형성하는 ‘칩 퍼스트(Chip First)’ 방식 대비 고밀도 배선 형성에 유리하다. 대신 생산 원가가 상대적으로 높은 것으로 알려졌다. 

아래는 에스윈(에친트)이 지난해와 올해 발주한 FO-PLP용 전용 장비 발주 내역이다. 주로 일본⋅대만 협력사가 많고, 국내 장비업체도 눈에 띈다. 에스에프에이가 AMHS(자동이송시스템)을, 아이에스티이가 EFEM(Equipment Front End Module)을 각각 수주한 것으로 확인됐다. 비전세미콘이 글래스 재활용용 플라즈마 설비를 수주한 것으로 보아 에친트는 FO-PLP 지지기판으로 글래스 기판을 쓸 것으로 추정된다. 

FO-PLP용 지지기판은 몰딩 기판을 쓰는 곳도 있고 글래스 기판을 택하는 회사도 있다. 공정 과정에서 기판이 휘기 때문에 공정 특성에 맞게 취사선택하는데, 최근에는 몰딩에서 글래스로 전환되는 추세다.

/자료=KIPOST
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