중국 비야디의 반도체 자회사인 비야디반도체가 시안 연구개발 기지 운영과 차기 IGBT 제품 발표를 예고했다. 

중국 언론 IT즈자에 따르면 비야디반도첵 중국 시안(西安)에 소재한 반도체연구개발센터 운영에 곧 돌입한다. 약 1000명에 가까운 연구개발 인력을 배치, 반도체 연구개발 기지로 삼는다. 

이로써 비야디반도체의 중국 내 연구개발센터는 선전, 후이저우, 닝보, 창사에 이어 시안까지 총 5개가 된다. 

비야디반도체는 시안의 반도체 인재 자원과 공급망 자원, 고객 자원을 충분히 활용하고 시안 센터에서 파워반도체, 스마트 센서, 스마트 컨트롤IC 등 제품의 설계와 서비스에 주력할 것이라고 밝혔다. 

또 IGBT 6.0 버전 역시 이 시안 센터에서 발표될 예정이다. 

비야디반도체는 지난 2018년 닝보(宁波)에서 IGBT 4.0 버전을 발표했으며, 이후 이번 6.0 버전도 내놓게 됐다. 

비야디는 2002년 반도체 영역에 진입했으며, 비야디반도체가 2009년 중국 첫 자체 개발 IGBT를 개발했다. 

지난해 말까지 비야디반도체의 IGBT 등 차량용 파워반도체 누적 설치량이 100만 대를 넘었으며, 단일 차량 주행 거리도 100만 km가 넘었다. 

비야디반도체에 따르면 IGBT 6.0 버전은 차세대 자체 개발 고밀도 캐비티그리드(CAVITY GRID ) 기술을