수십년 베테랑 엔지니어 구성팀 보유...2021년 양산

중국 메모리 반도체 기업 기가디바이스(GigaDevice)의 D램 개발과 생산 계획이 공개됐다. 

29일 중국반도체투자연맹에 따르면 기가디바이스는 기존 보유 기술과 고객 기반 등을 고려해 D램 설계와 생산에 나설 계획이라며 2020년부터 2025년에 이르는 D램 개발과 양산 일정을 밝혔다. 

기가디바이스는 이미 관련 특허를 보유한데다 2008년 부터 출시해 온 노어플래시(NOR Flash)와 낸드플래시(NAND Flash), MCU 시리즈 등 제품화로 축적한 메모리 기술 인프라를 갖고 있다는 평가를 받고 있다. 

 

기가디바이스 로고. /기가디바이스 제공
기가디바이스 로고. /기가디바이스 제공

 

D램 기술 개발을 위해 이미 수십명의 베테랑 엔지니어로 구성된 핵심 연구팀을 조직해 운영하고 있으며 프론트엔드 설계와 백엔드 상품 테스트 및 검증 등 영역을 포괄한다. 이 팀의 핵심 인력은 이미 D램 산업에 평균 20년 이상 종사한 경력 엔지니어로서 효과적으로 D램 개발을 이끌고 있다고 중국 언론은 전했다. 

기가디바이스의 계획에 따르면 내년에는 첫 D램 칩 상품을 정의하고 시장 전략과 상품 전략을 설정, 칩 설계 작업을 한다. 칩 설계 작업에는 시뮬레이션 검증, 로직 정합, 시계열분석, 기능 검증 등 작업이 포함된다. 이와함께 첫 칩의 생산 공정을 정의하고 검증 후 설계에 따른 샘플 작업을 할 예정이다. 

이어 2021년 이후엔 고객 검증 단계를 예상하고 있다. 첫 칩 샘플에 대한 패키징 테스트와  성능 인증, 고객 시스템 검증 등을 실시한다는 계획이다. 이후 2021년은 소량 양산을 거쳐 대량양산에 이르는 시기로 정했다. 2022년 이후 2025년까지는 여러 종류의 상품을 늘리면서 양산 폭을 넓히는 시기다. 

기가디바이스는 1Xnm 급(19nm, 17nm) 공정 D램 기술을 통해 DDR3, LPDDR3, DDR4, LPDDR4시리즈 D램 칩을 개발하겠단 목표다. 

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