2개 공장 추가 건설...中 언론 "SK하이닉스 필적"

중국 메모리반도체 기업이 19nm 공정 DDR4 생산 시작을 알리면서 공장 추가 건설로 생산량을 확대하겠다고 밝혔다. 

3일 둥팡차이푸왕에 따르면 중국 창신메모리(ChangXin Memory Technologies, CXMT)가 19nm 공정 DDR4 메모리 생산을 시작했다고 발표했다. 생산량을 늘리기 위해 2개의 공장을 추가로 짓는다는 계획도 내놨다. 

창신메모리는 자사 '10G1' 공정 기술로 19nm 4GB와 8GB의 DDR4 메모리 생산을 시작했다. 내년 1분기 출시를 목표로 잡았다. 창신메모리는 같은 기술을 적용해 내년 하반기에 LPDDR4X 메모리도 생산할 계획이다. 

이어 17nm DDR4, LPDDR4X, DDR5와 LPDDR5 메모리를 잇따라 내놓겠다는 청사진을 그려놓고 있다. 

이 회사의 10G5 공정은 HKMG와 에어갭라인(Air gap line) 기술을 사용한다. 동시에 장기적으로 기둥형 커패시터(Cylindrical capacitor), 유니버설 게이트 트랜지스터(Universal gate transistor), 극자외선(EUVL) 공정도 적용할 예정이다. 

 

CXMT 공장 이미지. /CXMT 제공
CXMT 로고. /CXMT 제공

 

최근 월 2만 개의 웨이퍼를 생산하고 있으며 주문량이 증가하면서 생산량 역시 확대되고 있다. 내년 말이면 10nm급 공정 기술의 생산능력이 12만 개(12인치)에 이를 것으로 보고 있다. 중국 언론은 이같은 생산량이 SK하이닉스의 중국 우시 공장에 필적하는 수준이라고 분석했다. 

이 회사는 77%의 직원이 연구개발 엔지니어다. 올해 5월 동사장 겸 CEO 주이밍(朱一明)은 "기술 관점에서 봤을 때 허페이창신과 키몬다(Qimonda)의 협력, 그리고 창신의 자체 기술이 결합됐다"며 의미를 뒀다. 키몬다와 협력을 통해 천여만 건의 D램 기술 문서(약 2.8TB 용량)를 수중에 넣었다고 설명했다. 이는 창신메모리가 조기에 기술을 축적할 수 있는 배경이 됐다. 

중국 언론 차이푸왕은 "창신메모리의 D램 기술 로드맵을 보면 DDR4, LPDDR4X, DDR5, LPDDR5, GDDR6를 비롯한 제품의 구체적 발표 시간이 아직 공표되진 않았지만 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 기업의 D램 발전 노선에 상당부분 일치한다"고 전했다. 

창신메모리는 2016년 5월 중국 안후이(安徽)성 허페이(合肥)시에 설립된 회사로서 종합반도체기업(IDM)을 지향하고 있다  

저작권자 © KIPOST(키포스트) 무단전재 및 재배포 금지