창신메모리, 3년 내 저전력 고속 LPDDR5 개발
창신메모리, 3년 내 저전력 고속 LPDDR5 개발
  • 유효정 기자
  • 승인 2020.07.03 15:39
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이미 개발 착수
중국 메모리 반도체기업의 D램 개발이 속도를 내고 있다. 2일 중국 안후이(安徽)성 경제및정보화청은 '중점 영역 보완 상품 및 핵심 기술 개발 임무 공포 작업 방안'을 발표하고, 주요 기업이 2~3년 내 개발할 핵심 기술 로드맵을 발표했다. 방안에 따르면 허페이 창신메모리(CXMT, Changxin Memory Technologies)는 3년 내 LPDDR5 기술 개발을 목표로 삼았다.최근 이미 자체 지식재산권(IP) 기반 DDR4를 상용화한데 이어 LPDDR5 상용화를 위한 단계적 기술 개발 로드맵을 실현할 계획이다
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