-- 고전압 애플리케이션의 효율성 및 신뢰성 향상 상하이, 중국 2023년 10월 25일 /PRNewswire=연합뉴스/ -- 최근 몇 년 새 광발전 시스템, 충전기, 신에너지 차량, 에너지 저장 시설 및 기타 신기술이 더욱 늘어나고 산업 제어 장치, 전원 공급, 전기 및 기존 애플리케이션의 설치 기반이 점차 증가하고 있다. 이러한 상황 속에서 고전압 디지털 제어 애플리케이션의 절연에 관한 요구사항이 더욱 심화되고 있으며, 시장에서는 고효율 및 고신뢰성 디지털 절연체 각각에 대한 수요가 높다. 고전압 시스템에서 신뢰성 있는 절연...
지금의 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체 산업의 서플라이체인은 다소 기형적이다. 울프스피드⋅코히어런트⋅SiCrystal 3개 회사가 글로벌 SiC 웨이퍼 공급량의 80% 이상을 담당하면서, 자체적으로 에피웨이퍼나 반도체 소자까지 공급한다. SiC 웨이퍼를 가장 많이 매입하는 인피니언⋅ST마이크로⋅온세미 입장에서 울프스피드⋅코히어런트⋅SiCrystal은 협력사면서 경쟁사다. SiC 반도체 회사들이 쎄닉 같은, 자신들과 경쟁하지 않는 웨이퍼 전문 회사를 기다리는 이유다.
나소소재 전문업체 아모그린텍이 전력반도체 접합용 은 페이스트 필름을 개발했다. 전력반도체는 동작 특성상 고열을 방출하기에 기판과의 접합소재 역시 열에 대한 내구성이 높아야 한다. 특히 기존 납을 기반으로 한 접합 소재는 ESG(환경⋅사회⋅지배구조) 기준 강화 흐름에 따라 시장에서 입지가 좁아지고 있다.
지능형 전력 및 센싱 기술 전문업체인 온세미는 PCIM 세계 처음 TOLL (TO-Leadless) 패키지형 SiC(Silicon Carbide) MOSFET을 11일 발표했다.이 트랜지스터는 높은 전력 밀도가 필요한 설계에 적합한 고성능 스위칭 장치의 수요를 충족시킬 것으로 기대된다. 최근까지 SiC 제품은 훨씬 더 많은 공간을 필요로 하는 D2PAK 7-lead 패키지로 제공돼 왔다.TOLL 패키지는 실장 면적이 9.90mm x 11.68mm로, D2PAK 패키지에 비해 PCB 면적을 30% 줄일 수 있다. 또 두께가 2.30m
SK가 SiC(실리콘카바이드) 반도체 업체 예스파워테크닉스를 인수했다. SiC 반도체는 기존 실리콘 기반 반도체 대비 고전압에서 동작 가능하며, 내열 온도도 높다. 덕분에 자동차 등 가혹한 환경에 사용되는 전력 반도체로 각광받고 있지만, 국내는 해외와 비교해 기술 수준이 미미한 것으로 평가된다.
인피니언테크놀로지스는 새로운 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품군(모델명 CoolGaN IPS)를 출시한다고 17일 밝혔다. GaN은 실리콘카바이드(SiC)와 함께 대표적인 와이드밴드갭(WBG) 소재로 꼽힌다. 밴드갭이 크면 높은 온도 및 고전압에서도 문제 없이 작동한다. 인피니언은 CoolGaN IPS가 충전기와 어댑터, SMPS(전원공급장치) 같은 중저전력대 애플리케이션에 적합하다고 설명했다. 600V CoolGaN 하프브리지 IPS IGI60F1414A1L은 중저전력대의 작고 가벼운 디자인에 적합하다. 열적으로 향상된 8x8 Q
에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터(Nasdaq: ON)는 전력 밀도, 효율성, 신뢰성이 요구되는 까다로운 애플리케이션을 위한 새로운 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 디바이스를 공개했다. 설계자들은 기존 실리콘 스위칭 기술을 새로운 SiC 디바이스로 대체함으로써, 전기차 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, 서버 전원공급장치(PSU), 통신, 무선 전원공급장치(UPS) 등의 애플리케이션에서 더 나은 성능을 제공할 수 있다.자동차용 AECQ101과 산업용 품질 표준 만족하는 온세미컨덕터의 새로운 650V SiC MOSFE
넥스페리아는 제조 및 연구개발(R&D) 글로벌 투자를 단행한다고 18일 밝혔다. 이 계획은 작년에 넥스페리아의 모회사인 윙텍 테크놀로지가 상하이 링앙에 새로운 300mm(12인치) 전력 반도체 웨이퍼 팹 건설에 120억 위안(18억 5천만 달러)을 투자한 데 이은 조치이다. 윙텍은 2022년에 신 공장을 가동, 연간 40만장의 웨이퍼를 생산할 예정이다.팹의 효율성 개선은 물론, 신규 투자도 예정됐다. 독일 함부르크와 영국의 맨체스터의 유럽 웨이퍼 팹에 새로운 200mm 기술을 구현할 계획이다. 함부르크 팹에서는 WBG 반도체 제조를
신종 코로나 바이러스 감염증(코로나19)과 미국의 화웨이 제재로 멈칫했던 5세대 이동통신(5G) 투자에 다시 불이 붙고 있다.4G 투자 때 시작됐던 LDMOS(Lateral Double diffused MOS) 기반 전력 증폭기(PA)와 질화갈륨(GaN) 기반 PA의 경쟁 역시 재개됐다. 4G 때는 LDMOS PA의 비중이 다소 컸지만, 5G 때는 반대로 GaN PA의 비중이 크다. 물론 그렇다고 GaN PA가 LDMOS를 완전히 대체할 수 있는 건 아니다. 4G: LDMOS에서 GaN으로전력 증폭기는 입력 전원으로부터 전력을 받아
온세미컨덕터는 태양광 인버터에 적합한 실리콘카바이드(SiC) 전력 모듈 'NXH80B120MNQ0'을 출시하고, 전력 및 열 관리 솔루션 업체 델타(Delta)가 3상 PV 스트링 인버터 'M70A' 제품군에 해당 제품을 택했다고 21일 밝혔다.'NXH80B120MNQ0'은 1200V/40mΩ SiC 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET), 1200V/40A SiC 부스트 다이오드를 듀얼 부스트 스테이지와 통합한 풀 SiC 전력 모듈이다. 태양광 인버터 등 높은 수준의 전력 효율을
세계 5위권 파운드리(반도체 수탁생산) 업체이자 중국 ‘반도체 굴기’의 상징인 SMIC가 상하이 증시(쿼창판, 일명 스타마켓) 2차 상장을 통해 최대 530억위안(약 9조원)을 유치한다. 올 들어 전세계 증시 통틀어 최대 규모 주식 공모이자, 쿼창판 개장 이래 역대 최대 규모다. 갈수록 격화되고 있는 미국과의 무역 갈등속에 첨단 기술 육성에 더욱 박차를 가하려는 중국 정부의 의지가 반영된 것으로도 풀이된다. 지난주 월스트리트저널(WSJ) 등 외신에 따르면 중국 최대 파운드리 업체이자 국영기업인 SMIC가 ‘쿼창판(상하이 스타마켓)에
전기차와 5세대 이동통신(5G) 등장에 힘입어 와이드밴드갭(WBG) 반도체 시장이 급격히 커지고 있다. 상대적으로 기술 발전이 빨랐던 실리콘카바이드(SiC)는 벌써 6인치 중심에서 8인치로 넘어가는 전환기를 맞았다.기술적 한계 탓에 좀처럼 커지지 못했던 갈륨나이트라이드(GaN) 역시 빛을 발하기 시작했다. 전력, 무선통신(RF) 등 다양한 분야에서 수요가 늘어나면서 시장 선점을 위해 여러 업체가 출사표를 던지고 있다. GaN은 왜 SiC만큼 주목받지 못했나GaN은 실리콘(Si)보다 전력 효율이 높고 신호 변환(Switching) 속
사난인터그레이티드서킷(Sanan IC)은 650·1200V 실리콘카바이드(SiC) 기기와 650V 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 고전자이동도트랜지스터(HEMT)에 활용되는 자사의 와이드 밴드갭(WBG) 전력전자 파운드리 서비스를 본격화한다고 22일 밝혔다.상위 스마트폰 제조사들이 GaN 솔루션을 채택하기 시작했고 빅데이터, 전기차(EV) 등 고전압 솔루션에는 SiC가 활용된다. 욜디벨롭먼트(Yole Dévelopement)에 따르면 전력 GaN 시장은 2017년에서 2023년까지 연평균 55%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 지
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조 대기업(삼성, LG, SK, 현대) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. BOE, 섀도마스크 인장기 공급사 다시 교체2. 전류의 연결고리, 커넥터가 사라진다3. 와이드밴드갭(WBG) 파운드리가 성공할 수 있을까4. 샤먼 티안마 6세대 플렉
5세대(5G) 이동통신과 자동차 전장화가 맞물리면서 와이드밴드갭(WBG) 반도체 시장이 급격히 성장하고 있다. 이에 실리콘(Si) 기반 반도체가 그랬듯, 이 시장도 외주 생산(Foundry) 업체가 하나 둘 등장하고 있다. 하지만 공급망(SCM)과 산업 성격상 파운드리 업체가 성공하기는 쉽지 않다. 파운드리 업체의 등장에도 종합반도체업체(IDM)들이 동요하지 않는 건 이 때문이다. 커지는 시장, 속속 등장하는 WBG 파운드리 업체들반도체 업계에서 WBG으로 분류되는 소재는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)이다. 기존 반도체 재료
온세미컨덕터는 1200V 및 900V 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 제품군을 자사의 와이드밴드갭(WBG) 디바이스 라인업에 추가했다고 11일 밝혔다.두 제품은 태양광 발전 인버터, 전기자동차(EV)를 위한 온-보드 충전, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS), 서버 공급 장치, EV 충전소 등을 포함한 다양하고 요구조건이 까다로운 고성장 애플리케이션을 위해 고안됐다. 실리콘(Si) MOSFET으로는 불가능했던 수준의 성능을 제공한다.온세미컨덕터의 새로운 1200V 및 900V N-채널 SiC
맥심인터그레이티드코리아(대표 최헌정)는 경쟁사 대비 전력 손실과 이산화탄소 배출량을 최대 30% 줄여주는 절연 게이트 드라이버 'MAX22701E'를 출시했다고 19일 밝혔다.이 제품은 태양광 인버터, 모터 드라이브, 전기차, 에너지 저장 시스템, 무정전 전원장치, 데이터 팜(Data Farm), 고출력·고효율성 전원 장치를 위한 산업용 통신 시스템 내 스위치 모드 전원 장치에 사용된다.많은 스위치 모드 전원 장치 애플리케이션은 전력 효율성 및 트랜지스터 안정성 개선을 위해 와이드 밴드 갭(WBG) 소재인 실리콘카바이
온세미컨덕터는 고전압 자동차 트랙션 인버터용 전력통합모듈(PIM) 'VE-Trac' 제품군 2종을 출시했다고 17일 밝혔다.두 제품은 동급 최강의 전력 및 열성능과 함께 트랙션 인버터에 확장성과 안정성을 제공한다.VE-Trac 제품군에는 소자(discrete) 전력 디바이스, 절연 게이트 드라이버, 확장된 모듈 솔루션과 와이드밴드갭(WBG) 디바이스 등이 포함된다. 향후 온세미컨덕터는 자동차 시스템 설계자들도 사용할 수 있도록 제품 포트폴리오를 확장할 계획이다.새롭게 출시된 디바이스 2종은 배터리 전기차(BEV), 플
리야드, 사우디아라비아, 2019년 12월 2일 /PRNewswire/ -- -- 사우디아라비아, 2019년 12월 1 일부로 2020 G20 의장국으로 활동 -- 사우디 G20 의장국은 "모두를 위한 21세기 기회 실현"에 초점을 맞출 예정 -- 사우디아라비아, 2019년 일본 G20 의장국의 업무에 찬사를 보내며, 앞으로 세계 협력을 향한 노력을 계속 지원할 예정 이달 1일, 사우디아라비아가 2020년 11월 21~22일 리야드에서 열리는 G20 정상회담을 앞두고 G20 의장국으로 확정됐다. 사우디 G20 의장국은 2019년...
SK실트론이 듀폰의 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 사업을 인수하면서 향후 사업 전략에 관심이 쏠린다. 당장은 SiC 웨이퍼 공급이 부족하지만, SiC 웨이퍼 제조사들이 연이어 생산능력 확대 계획을 발표했다는 점에서 이는 조만간 해소될 가능성이 높다. 더군다나 국내에는 아직 SiC 반도체 생산 업체가 없다. 잠재적 우군이 마땅치 않다는 뜻이다. 그럼에도 SK실트론은 왜 SiC 웨이퍼 사업을 인수했을까. 왜 SiC인가SiC는 와이드밴드갭(WBG) 소재다. 실리콘(Si)보다 고온, 고열에 강하고, 단위면적 당 견딜 수 있는 전압 값도 높