지능형 전력 및 센싱 기술 전문업체인 온세미는 PCIM 세계 처음 TOLL (TO-Leadless) 패키지형 SiC(Silicon Carbide) MOSFET을 11일 발표했다.

이 트랜지스터는 높은 전력 밀도가 필요한 설계에 적합한 고성능 스위칭 장치의 수요를 충족시킬 것으로 기대된다. 최근까지 SiC 제품은 훨씬 더 많은 공간을 필요로 하는 D2PAK 7-lead 패키지로 제공돼 왔다.

TOLL 패키지는 실장 면적이 9.90mm x 11.68mm로, D2PAK 패키지에 비해 PCB 면적을 30% 줄일 수 있다. 또 두께가 2.30mm로 D2PAK 패키지보다 60% 적은 공간을 차지한다.

TOLL 패키지는 크기가 작을 뿐만 아니라 D2PAK 7-lead보다 우수한 열 성능과 낮은 패키지 인덕턴스(2nH)를 갖는다. Kelvin 소스 구성은 Kelvin 구성이 없는 장치에 비해 턴-온 손실(EON)이 60% 감소되는 등 게이트 노이즈를 낮추고 스위칭 손실을 줄여주며, 까다로운 전력 설계에서 효율성과 전력 밀도를 크게 향상시키고 EMI 개선 및 PCB 설계를 용이하게 한다.

SiC 제품은 고주파에서의 효율성 향상, 낮아진 EMI, 높아진 동작 온도 및 더욱 높은 신뢰성을 포함해 이전 세대 실리콘 제품에 비해 큰 이점을 제공한다. 온세미는 SiC boule 성장, 기판, 에피택시, 제품 제작, 동급 최고의 집적 모듈 및 개별 패키지 솔루션을 포함한 수직 통합 능력을 갖춘 유일한 SiC 솔루션 공급업체다.

TOLL 패키지로 공급되는 첫 번째 SiC MOSFET은 SMPS, 서버 및 통신 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 무 정전 전원 공급 장치(UPS) 및 에너지 스토리지를 포함한 까다로운 애플리케이션을 위한 NTBL045N065SC1이다. 이 제품은 ErP 및 80 PLUS Titanium과 같은 가장 까다로운 효율성을 요구하는 표준들을 충족해야 하는 설계에 적합하다.

또 NTBL045N065SC1은650 V의 VDSS 정격에 RDS(on)은 33mΩ(TYP)에 불과하며 최대 드레인 전류(ID)는 73A이다. WBG SiC 기술을 기반으로 하는 이 제품은 최대 동작 온도가 175°C이고 초 저 게이트 충전(QG(tot) = 105nC)으로 스위칭 손실을 크게 줄여준다. 또한 TOLL 패키지는 MSL 1(습도 감도 레벨 1) 등급으로, 대량 생산 시에 낮은 불량률을 보장한다.

온세미는 TO-247 3 리드와 4 리드 패키지 및 D2PAK 7 리드 패키지의 자동차용 제품들도 공급한다.