인피니언테크놀로지스는 새로운 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품군(모델명 CoolGaN IPS)를 출시한다고 17일 밝혔다. GaN은 실리콘카바이드(SiC)와 함께 대표적인 와이드밴드갭(WBG) 소재로 꼽힌다. 밴드갭이 크면 높은 온도 및 고전압에서도 문제 없이 작동한다. 인피니언은 CoolGaN IPS가  충전기와 어댑터, SMPS(전원공급장치) 같은 중저전력대 애플리케이션에 적합하다고 설명했다. 

600V CoolGaN 하프브리지 IPS IGI60F1414A1L은 중저전력대의 작고 가벼운 디자인에 적합하다. 열적으로 향상된 8x8 QFN-28 패키지로제공되며, 매우 높은 전력 밀도의 시스템을 가능하게 한다. 이 제품은 2개의 140mΩ/600V CoolGaN e-모드 HEMT 스위치에EiceDRIVER 제품군의 전기적으로 절연된 하이 사이드 및 로우 사이드 게이트 드라이버를 결합했다.

IGI60F1414A1L은 2개의 디지털 PWM 입력이 있는 절연 게이트 드라이버로 인해 제어가 쉽다. 절연 기능을 통합하고, 디지털과 전원 접지를 분리하고, PCB 레이아웃 복잡성을 낮추어 개발 시간을 단축하고, BOM(bill of materials) 및 총 비용을 줄인다. 게이트 드라이버의 입력-출력 절연은 인피니언의 검증된 온칩 코어리스 트랜스포머 (CT) 기술을 기반으로 한다. 이는 150V/ns를 넘는 전압 슬로프로 극히 빠른 스위칭 트랜션트에서도 빠른 속도와 뛰어난 견고함을 보장한다.

또한 몇 개의 수동 게이트 경로 부품을 사용해서 다양한 애플리케이션의 필요에 따라 스위칭 동작을 손쉽게 조절할 수 있다. 예를 들어 스위칭 기울기 (slew rate)를 최적화해서 전자기 간섭 (EMI)을 줄이고, 정상 상태 (steady state) 게이트 전류를 설정하고, 하드 스위칭 애플리케이션에서 네거티브 바이어스 된 게이트 구동으로 견고한 동작을 달성할 수 있다.

또한 IGI60F1414A1L은 시스템-인-패키지 통합과 게이트 드라이버의 매우 정확하고 안정적인 전달 지연으로 시스템 데드 타임을 최소화할 수 있다. 이는 시스템 효율을 극대화하고, 충전기와 어댑터 솔루션에서 최대 35W/in3에 이르는 한 차원 향상된 전력 밀도를 달성한다. LLC 공진 토폴로지와 모터 드라이브 같은 애플리케이션에서는 유연하고 쉽고 빠른 디자인이 가능하다.