650V SiC 전력 반도체 출시 경쟁 달아오른다... 온세미 신제품 출시
650V SiC 전력 반도체 출시 경쟁 달아오른다... 온세미 신제품 출시
  • 오은지 기자
  • 승인 2021.02.18 12:22
  • 댓글 0
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에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터(Nasdaq: ON)는 전력 밀도, 효율성, 신뢰성이 요구되는 까다로운 애플리케이션을 위한 새로운 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 디바이스를 공개했다. 설계자들은 기존 실리콘 스위칭 기술을 새로운 SiC 디바이스로 대체함으로써, 전기차 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, 서버 전원공급장치(PSU), 통신, 무선 전원공급장치(UPS) 등의 애플리케이션에서 더 나은 성능을 제공할 수 있다.

온세미컨덕터의 새로운 650V SiC MOSFET. /사진=온세미
온세미컨덕터의 새로운 650V SiC MOSFET. /사진=온세미

자동차용 AECQ101과 산업용 품질 표준 만족하는 온세미컨덕터의 새로운 650V SiC MOSFET은 실리콘에 비해 우수한 스위칭 성능과 개선된 열특성을 제공하는 새로운 와이드밴드갭(WBG) 소재를 기반으로 하고 있다. 이를 통해 시스템 레벨에서 효율성을 높이고, 전력 밀도를 향상하며, 전자파(EMI)를 낮추고, 시스템 크기 및 중량도 줄일 수 있게 되었다.

 

온세미의 차세대 SiC MOSFET 주요 특징
650V 내압에서 업계 최고의 Rsp(Rdson x 넓이)를 구현할 수 있는 첨단 박형 웨이퍼 기술을 활용한 새로운 활성 셀 설계법을 채택했다.
D2PAK7L 및 To247 패키지로 제공되는 NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1, NTH4L015N065SC1은 시장에서 가장 낮은 12밀리옴(mOhm)의 온저항을 보여준다.
에너지 손실 수치 지수에 대하여 최적화 되어 자동차 및 산업용 애플리케이션에서 최적화된 성능을 제공한다.
내부 게이트 저항(Rg)을 이용하면 설계자가 외부 게이트 저항을 추가하여 인위적으로 디바이스의 속도를 더 낮출 필요가 없어지므로 더 높은 설계 유연성을 제공할 수 있다.
높은 서지 및 아발란치를 견디며, 쇼트 서킷 견고성을 제공하므로 내구성이 강화되고 신뢰성이 증가하여 디바이스 수명을 높일 수 있다.

아시프 자콰니(Asif Jakwani) 온세미컨덕터 첨단전력부문 수석 부사장은 “전기차용 OBC와 같은 최신 전력 애플리케이션과 재생 에너지, 엔터프라이즈 컴퓨팅, 통신 등의 애플리케이션에서 효율성, 신뢰성, 전력 밀도는 설계자가 끊임없이 개선해야 할 과제"라며 "새로운 SiC MOSFET은 다른 실리콘 스위칭 기술에 비해 성능을 크게 향상해 엔지니어들이 까다로운 설계 목표를 달성할 수 있도록 돕는다"고 말했다.  

그는 "향상된 성능을 통해 EMI를 줄일 뿐만 아니라 효율성 향상과 열관리 요구사항을 줄일 수 있게 된다. 새로운 SiC MOSFET을 사용함으로써 얻을 수 있는 최종 결과는 더 작고 가볍고 효율적이며 신뢰도가 높은 전력 솔루션이 될 것”이라고 말했다.

 

패키지 유형

새롭게 공개된 디바이스들은 표면 실장(Surface mount)이 가능하며, TO247 및 D2PAK을 포함한 업계 표준 패키지 유형으로 제공된다.


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