데이터센터로 영역 넓히는 실리콘카바이드(SiC), 로옴 솔루션 선보여
데이터센터로 영역 넓히는 실리콘카바이드(SiC), 로옴 솔루션 선보여
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.09.18 14:16
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4단자 패키지 적용해 기존 3단자 대비 손실 35% 줄여
호스트웨이 데이터센터 내부 전경./호스트웨이
호스트웨이 데이터센터 내부 전경./호스트웨이

실리콘카바이드(SiC)의 영역이 데이터센터로 넓어진다. 기존 실리콘(Si) 전력 변환 장치는 에너지 손실이 커 소비전력을 줄이기가 쉽지 않기 때문이다. 로옴이 서버용 SiC 솔루션을 발빠르게 내놨다.

로옴은 고효율 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전기차(EV) 충전 스테이션 등에 적합한 트렌치게이트(Trench gate) 구조의 SiC 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 'SCT3xxx xR' 제품군 6종을 출시했다고 18일 밝혔다.

이 제품군은 650V, 1200V 내압으로 나뉜다. 

SiC는 실리콘보다 전력 변환 효율이 높다. 그만큼 잃어버리는 에너지가 적다는 얘기다.

로옴은 여기에 고속 스위칭 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 4단자 패키지(TO-247-4L)를 채용했다. 기존 3단자 패키지(TO-247N)는 전력을 바꿀 때 전자 유도로 인해 발생하는 기전력(인덕턴스) 때문에 게이트 전압이 떨어져 스위칭 속도가 떨어졌다.

 

3단자 패키지와 4단자 패키지를 적용했을 때 구조 변화./로옴

4단자 패키지는 소스 단자를 파워와 드라이버로 분리할 수 있어 인덕턴스로 인한 영향을 줄일 수 있다. 특히 제품 동작시(Turn-on) 손실을 대폭 개선, 턴온 및 턴오프 손실을 합쳐 기존 제품 대비 스위칭 손실을 35% 줄일 수 있었다.

이 제품을 구매하면 SiC 장치 구동에 최적인 로옴의 게이트 드라이버 집적회로(IC) 'BM6101FV-C'와 각종 전원 IC, 소자가 탑재된 SiC 평가 보드도 제공된다. 

로옴 관계자는 "로옴은 지난 2015년 세계 처음으로 트렌치 게이트 구조를 채택한 SiC MOSFET 양산에 성공하는 등 업계를 선도하는 제품을 개발해왔다"며 "이 제품을 비롯, 앞으로도 혁신적인 제품을 선보이겠다"고 말했다.


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