중국 정부 차원의 3세대 반도체 기술을 종합적으로 개발하고 테스트, 산업화할 수 있는 대단위 클러스터가 조성된다. 3세대 반도체란, 내열과 고속 성능을 동시에 가지는 신소재로 만드는 반도체로서 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등이 대표적이다. 

4일 중국 '국가제3세대반도체기술혁신센터 연구개발 및 산업화 기지'가 착공했다. 쑤저우(苏州) 나노시티(纳米城)에 들어서는 이 기지는 1기 규모가 105묘(亩)이며, 총 건축 면적은 20만 ㎡가 넘는다. 

투자액은 18억 위안(약 3383억 원)이며. 50억 위안(약 9330억 원) 이상의 동반 투자를 일으킬 것으로 전망되고 있다. 

내년 12월 준공을 목표로 하며, 건설된 이후 3세대 반도체 재료, 장비와 연구개발, 설계, 테스트, 양산, 패키징과 검측이 모두 가능한 클러스터로 키운다. 

기지 건설은 쑤저우나노미터과기발전유한회사가 맡으며, 1기 프로젝트를 통해 국가제3세대반도체기술혁신센터뿐 아니라 오리엔탈세미(ORIENTAL SEMI), 헌터썬(Huntersun) R&D 센터, 림레이저테크놀로지(LiM Laser Technology) R&D 센터 등 기업이 동시에 들어선다. 

동시에 제3세대 반도체 개발을 위한 3만 ㎡ 규모의 클린룸과 화학품 창고, 폐수 처리소, 110kV 전력소 등 설비도 들어선다. 

여기에 8인치 벌크탄성파(BAW) 필터와 고주파 모듈 생산라인, 반도체 하이엔드 레이저 연구센터, 웨이퍼 및 소자 성능 시험 R&D 엔지니어링 센터도 함께 자리한다.  

이 기지가 건설되면 약 50~100개 기업이 밀집해 3세대 반도체 개발과 테스트, 생산, 산업화를 하는 대형 클러스터 조성이 이뤄진다. 

중국은 전략적으로 3세대 반도체를 육성하고 있으며 상품 설계, 웨이퍼 제조, 패키징과 검측에 이르는 공급망 전반에서 핵심 장비, 원재료, 산업용 서비스 반도체 공급망에서 3세대 반도체 생태계를 조성하고 있다. 

쑤저우 나노시티에는 이미 마이크로와 나노 제조, 나노 신재료, 나노 헬스케어 등 영역의 전문 인재 300여 명이 밀집해있으며 450개의 기업 및 기관이 입주해있다.