중국 3세대 반도체 기술 기업이 투자한 웨이퍼 공장이 양산을 시작했다. 

중국 언론 다반다오치찬예왕에 따르면 이노사이언스(INNOSCIENCE)가 투자해 쑤저우(苏州)에 건설한 8인치 질화갈륨온실리콘(GaN-on-Si) 웨이퍼 공장이 양산에 돌입했다고 5일 밝혔다.

지난 해 말 장비 반입이 이뤄진 1기에 80억 위안(약 1조3900억 원)이 투자됐다. 전체 공장 가동시 연간 78만 장의 8인치 질화갈륨온실리콘 웨이퍼를 생산할 수 있는 능력을 갖췄으며 올해 월 6000장 생산을 목표로 세웠다. 전면 생산시 연간 150억 위안(약 2조6064억 원)의 생산액을 예상하고 있다. 

이날 상하이시 관계자뿐 아니라 이 회사의 뤄웨이웨이(骆薇薇) 회장과, 손재형(孙在亨) 총경리가 참석한 가운데 양산을 기념하는 행사가 열렸다. 한국인인 손재형 총경리는 LG 미국 지역 구매 담당 임원을 지낸 것으로 소개됐으며 3세대 반도체 트랜지스터 신재료 연구개발과 생산 공정 전문가인 것으로 알려졌다.

이노사이언스는 2015년 12월 설립된 3세대 반도체 질화갈륨온실리콘 연구개발 및 생산 기업이다. 종합반도체업체(IDM) 모델을 채용해 연구개발부터 설계, 에피택셜 생장, 칩 제조와 테스트까지 일체화한 생산기지를 건설하고 있다.

지난 2017년 11월엔 주하이(珠海)에 세계 첫 8인치 질화갈륨온실리콘 양산 라인을 건설했으며 30~900V의 파워반도체 부품과 IC 및 RF 부품을 생산하고 있다. 

최근 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN)으로 대변되는 3세대 반도체 재료들이 부상하면서 관련 기술과 공급망도 확대되고 있다. 

이노사이언스는 30~650V에 이르는 질화갈륨온실리콘 시리즈 칩을 잇따라 양산하면서, 세계에서 유일하게 저압과 고압 제품을 동시에 생산하는 기업으로 소개되기도 한다. 이 회사의 이노GaN 전력 부품 시리즈가 지난해 4분기에 이미 수백만 개 출하됐다. 저압 GaN 상품으론 이미 미국 EPC 회사를 제치고 중국 첫 라이다 기업 공급업체가 됐다.