TSMC가 4nm 공정 시생산을 예정보다 앞당겨 실시한다. 

2일 대만 경제일보 보도에 따르면 TSMC는 이날 열린 '2021년 기술 포럼'에서 "4nm 공정이 올해 3분기 시생산에 돌입할 것"이라고 밝혔다. 예정됐던 시기 보다 한 분기 가량 앞당긴 것이다. 

3nm 공정은 내년 하반기 양산을 계획하고 있다. 

TSMC는 올해 2년 째 온라인 기술 포럼을 열고 최근 기술 상황을 공유했다. 차세대 5G 스마트폰 및 와이파이6/6e 기능의 N6RF 공정 지원 및 차량용 N5A 공정, 그리고 3D패브릭(3DFabric) 시리즈 기술의 강화 버전 등에 대해 언급됐다. 

5nm의 N5, 4nm의 N4, 5nm 개조 버전 N5A, 그리고 3nm의 N3 공정 기술 상황을 소개한 TSMC는 지난해부터 업계에서 가장 먼저 5nm 공정을 양산했으며 수율 향상 속도가 이전 세대인 7nm 보다 더 빠르다고 강조했다. 

N5 패밀리 공정 중 N4 강화버전은 마스크를 줄이고 N5와 거의 유사한 설계를 적용하면서도 기능과 전력효율, 트랜지스터 밀도를 높였다고 소개했다. 

이와 함께 TSMC는 지난해 기술포럼 이후 N4 개발 진척이 순조롭게 이뤄지면서 올해 3분기 시생산하게 됐다고 설명했다. 

TSMC가 제시한 5nm 패밀리 공정 중 신규 공정 N5A의 목표는 자동차용 연산 능력 수요에 대응하면서 주행보조와 디지털콕핏을 지원하는 것이라고 부연했다. 

N3 공정은 내년 하반기 양산에 돌입하면서 글로벌 최신 로직 기술을 적용하게 되며, 핀펫(FinFET) 구조를 기반으로 기존 N5 공정 대비 속도를 15%, 전력소모를 30% 낮추고 로직 밀도는 70% 높일 것이라고 전했다.