중국 정부 차원의 3세대 반도체 기술을 종합적으로 개발하고 테스트, 산업화할 수 있는 대단위 클러스터가 조성된다. 3세대 반도체란, 내열과 고속 성능을 동시에 가지는 신소재로 만드는 반도체로서 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등이 대표적이다. 4일 중국 '국가제3세대반도체기술혁신센터 연구개발 및 산업화 기지'가 착공했다. 쑤저우(苏州) 나노시티(纳米城)에 들어서는 이 기지는 1기 규모가 105묘(亩)이며, 총 건축 면적은 20만 ㎡가 넘는다. 투자액은 18억 위안(약 3383억 원)이며. 50억 위안(약 93
중국에서 '제3세대 반도체'로 주목받고 있는 실리콘카바이드 재료를 대량으로 생산할 수 있는 생산시설이 지어진다. 15일 중국 언론 지웨이왕에 따르면 중국 광저우 난사징위안(南砂晶圆)반도체기술유한회사(이하 난사징위안)가 광저우시 난사(南沙)구에서 실리콘카바이드(SiC) 단결정 재료 및 웨이퍼 생산라인 건설을 위한 착공식을 열었다. 공장은 지난 10일 착공했다. 토지 점용 면적이 2만4581㎡이며, 총 건축 면적은 5만1162만700㎡이다. 광저우 난사구는 올해 1월 25일 '광저우 난사징위안 실리콘카바이드 재료
중국 최대 규모의 실리콘카바이드(SiC) 생산 공장이 가동을 시작했다. 8일 중국산시(山西)방송에 따르면 산시 전형종개(转型综改)시범구에서 중국 CETC(산시)전자정보과기혁신산업파크의 CETC실리콘카바이드재료생산라인이 정식으로 생산에 돌입했다. 이 파크에는 CETC(산시)실리콘카바이드재료산업기지, CETC(산시)전자장비지능제조산업기지, CETC(산시)3세대반도체기술혁신센터, CETC(산시)태양광신재생에너지산업기지가 있다. 이들 기지가 모두 생산에 돌입할 경우 연간 100억 위안(약 1조7291억 원) 규모의 생산액이 추산되고 있다.