중국 화합물반도체 기업들이 IPO(기업공개)를 통해 몸집 불리기에 나서고 있다.

시장조사업체 트렌드포스는 중국 이노사이언스가 홍콩거래소 상장을 통해 14억홍콩달러(약 2600억원)를 조달했다고 9일 밝혔다. 이노사이언스는 GaN(질화갈륨) 웨이퍼를 이용해 전력반도체를 생산하는 기업이다. 이노사이언스 IPO에는 스위스 ST마이크로가 앵커투자자(초기투자자)로 참여한 것으로 전해지면서 열기를 더했다. ST마이크로는 범용 MCU(마이크로컨트롤러유닛) 시장점유율 1위업체다. 최근 GaN⋅SiC(탄화규소) 웨이퍼를 활용한 전력반도체 생산량을 늘리고 있다. 

이노사이언스는 주하이에 8인치 ‘GaN On Si(실리콘)’ 기반 전력반도체 생산라인을 가동하고 있다. GaN은 순수 GaN 만으로는 잉곳⋅웨이퍼 대구경화가 쉽지 않다. 이 때문에 순수 GaN 기판은 4인치가 주류며, 일반 Si 웨이퍼 위에 GaN 층을 올린 GaN On Si 형태로 대구경화가 추진된다. 이 회사가 보유한 쑤저우 공장은 8인치 GaN On Si 전력반도체 생산 라인으로는 세계 최대규모라고 트렌드포스는 설명했다. 

이노사이언스는 2023년 GaN 기반 개별칩 시장에서 출하량 기준 42.4%를 차지하며 1위를 차지했다. 2024년 3분기 기준 GaN 반도체 누적 출하량은 10억대를 돌파했다. 

역시 화합물반도체 기업인 중국 SICC도 홍콩거래소에 상장하겠다고 지난해 연말 발표한 바 있다. SICC는 SiC 웨이퍼를 생산하는 회사며, 4⋅6⋅8인치 SiC 웨이퍼를 인피니언⋅보시 등에 공급하고 있다. 

이보다 앞서 작년 12월 중국 티안유반도체(Tianyu Semiconductor)도 홍콩증권거래소로부터 상장을 승인받았다. 티안유반도체는 SiC 기판 위에 에피레이어를 올린 에피웨이퍼 생산업체다. 전력반도체는 에피레이어 레시피에 따라 성능이 크게 달라지기에 에피웨이퍼 생태계가 발달돼 있다. 

트렌드포스는 “GaN 전력반도체 시장은 2030년까지 43억달러(약 6조3000억원), SiC 시장은 2028년까지 91억달러 수준으로 성장할 전망”이라며 “중국 제 3세대 반도체 업체들이 전력반도체 시장 성장세에 편승하기 위해 IPO에 나서고 있다”고 설명했다.