중국 정부 산하 과학기술 싱크탱크 기관인 중국과학원이 리소그래피 기술에서 중요한 진전을 이뤘다고 밝혔다. 

중국 언론 둥팡차이푸왕은 중국과학원의 공식 간행물을 인용해 중국과학원 상하이광학정밀기계연구소 정보광학 및 광전기술실험실에서 '버추얼엣지(Virtual Edge)'와 '투페이스 샘플링 마스크 픽셀레이션(Mask pixelation with two-phase sampling)' 기반의 '고속 광학 근접 보정(Optical proximity correction, OPC)' 기술을 제시했다고 보도했다. 

시뮬레이션 결과, 이 기술이 상당히 높은 보정 효율을 내는 것으로 평가됐다. 

반도체 패턴의 크기가 지속적으로 작아지면서 리소그래피 시스템의 회절 한계 속성으로 광학 근접 보정이 야기되는데, 이는 리소그래피 형상의 품질을 저하시킨다. 

최근 리소그래피 장비 소프트웨어와 하드웨어가 발전하면서 디지털 모형과 소프트웨어 알고리즘이 패턴 공정의 파라미터를 최적화하고 있는데, 효과적으로 리소그래피 해상도를 높이면서 공정 경로를 확대할 수 있다. 이 기술은 컴퓨테이셔널 리소그래피(Computational Lithography)라고 불리며, 반도체 칩이 모어의 법칙에 따라 발전하는 새로운 동력이 되고 있다고 매체는 전했다. 

이 고속 광학 근접 보정 기술은 마스크 패턴의 투과율 분포 조정을 통해 광학 근접 보정 효과를 내고 현상 품질을 높일 수 있다. 모형 기반의 광학 근접 보정 기술이 90nm 이하 기술 노드의 반도체 제조의 핵심 컴퓨팅 기술 중 하나가 될 것으로 예측됐다.