SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다.

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

간담회는 곽 사장의 오프닝(Opening) 발표를 시작으로 김주선 사장의 ‘AI 메모리 비전‘, 최우진 부사장의 ‘SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진’, 김영식 부사장의 ‘청주 M15x 및 용인 클러스터 투자’ 등 3개 발표 세션과 기자들과의 Q&A로 진행됐다.

이 자리에서 곽 사장은 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 On-Device AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "이에 따라 AI에 특화된 ‘초고속·고용량·저전력‘ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"으로 내다봤다. 

특히 그는 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"면서 "기술 측면에서도 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중"이라고 밝혔다. 

김주선 사장(AI Infra 담당)은 "기존 제품을 더욱 개선, 발전시킨 차세대 HBM 제품도 개발하고 있다"면서 "HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"고 강조했다. 

최우진 부사장(P&T 담당)은 "HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다"고 밝혔다.