삼성전자가 세계 최초로 12나노(㎚·1나노는 10억분의 1미터) 공정의 ‘D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 16Gb(기가비트) 용량의 DDR5 D램으로, 작년 12월 개발 완료에 이어 5개월만에 본격 양산에 나선 것이다. 

12나노 공정은 10나노급 5세대(D1b) 기술로, 기존 삼성전자의 첨단 공정이었던 14나노에 비해 생산성이 20%가량 높다. 지난해 업계 3위인 미국 마이크론이 먼저 5세대 D램 개발에 성공했다고 밝혔지만, 반도체 업계에선 해당 기술을 13나노급으로 추정한다. 업계 2위인 SK하이닉스는 연내 5세대 D램을 양산한다는 계획이다. 삼성전자는 세계 D램 시장의 43%(작년 4분기 기준)를 차지한 1위다.

삼성전자는 12나노급 D램의 소비 전력이 23% 개선됐다고 밝혔다. 또 차세대 D램 규격인 DDR5까지 지원해, 전력 소비가 많은 글로벌 데이터센터 시장 공략에 본격적으로 나설 것으로 전망된다.

삼성전자는 이번 신제품에서 전하(電荷)를 저장하는 ‘커패시터’의 용량을 늘렸다. 이 곳에 저장된 전하를 1과 0로 구분해 데이터를 읽고 쓰는데, 용량이 커지면 데이터의 구분이 명확해져 오류 발생이 줄어든다는 것이 삼성전자 측 설명이다. 최신 D램은 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 고화질 영화 2편을 처리할 수 있는 속도(7.2Gbps)를 지원한다.

12나노급 D램은 하반기 반등이 예상되는 메모리 시장을 공략할 삼성전자의 핵심 무기가 될 전망이다. 시장조사업체 옴디아는 메모리 시장이 올해 주춤했다가 2024년부터는 다시 큰 폭의 성장세로 전환할 것으로 전망하고 있다.

이주영 삼성전자 D램 개발실장(부사장)은 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐 아니라 높은 생산성으로 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 했다.