TSMC가 내년 2nm 트랜지스터에 기존 노드와 다른 새로운 공정을 적용한다고 밝혔다. 

22일 중국 언론 IT즈자에 따르면 이날 우시(无锡) 타이후(太湖)국제박람센터에서 열린 '중국 반도체 회로 설계업 2021년 및 우시 반도체 산업혁신발전고위포럼(ICCAD2021)'에 참석한 TSMC의 중국 난징법인 뤄전치우(罗镇球) 총경리는 "내년 3월 5nm 자동차 전자 공정 플랫폼을 출시할 것"이라며 "동시에 2nm 노드 나노시트/나노와이어(Nanosheet/Nanowire) 트랜지서트 구조 및 신재료를 채용할 것"이라고 밝혔다. 

여기서 신재료는 하이모빌리티채널(High mobility channel), 2D, 카본나노튜브(CNT) 등이 채용된다고 설명했다. 이중 2D 재료의 경우 TSMC가 이미 그래핀 이외 기타 재료를 발굴해냈으며 점차적으로 트랜지스터에 쓰일 수 있을 것이라고 부연했다. 

나노시트/나노와이어 트랜지스터는 기존 핀펫(FINFET) 공정을 대체하게 되며, 삼성전자의 3nm GAA 방식과도 다르다. 단 TSMC는 3nm(최소 1세대)의 경우 지속적으로 핀펫을 채용할 것으로 알려졌다. 

뤄 총경리는 "TSMC가 올해부터 자본 지출을 대폭으로 늘리기 시작한다"며 "2021~2023년 이미 확장된 기반 위에 1000억 달러 이상이 투자될 것"이라고 전했다. 

22일부터 이틀간 열리는 ICCAD2021은 중국반도체산업협회 반도체설계분회, 중국반도체설계혁신연맹이 공동으로 주최했으며, 장쑤성반도체산업협회, 우시시반도체산업협회, 국가반도체설계산업화기지 등 여러 반도체 관련 협회가 참여해 개최됐다. 여러 반도체 기업과 기관, 국가 관계자들이 참석했다.