반도체 장비 전문업체 ACM리서치는 SiC(실리콘카바이드)·질화갈륨(GaN)·갈륨비소(GaAs) 등 화합물 반도체용 WLP(웨이퍼레벨패키지) 장비(모델명 Ultra ECP GIII)를 출시했다고 14일 밝혔다. 신제품은 후면 딥 홀(Backside deep hole) 공정에서 금(Au)을 도금하는데 사용된다. 6인치 플랫 에지(flat edge) 및 노치 웨이퍼(notch wafer) 대용량 처리를 지원하는 완전 자동화 플랫폼을 갖추고 있다. ACM리서치의 2차 양극(second anode) 공급 장치 기술과 고속 그리드 기술(Paddle technology)을 결합할 수도 있다.

데이비드 왕(David Wang) ACM리서치 CEO(최고경영자)는 “현재 화합물 반도체 제조 공정의 자동화 수준은 제한적이며 대부분의 전기도금 공정은 균일성이 불량한 수직 전기도금 장비를 사용해 생산량도 제한을 받고 있다”며 "Ultra ECP GIII 전기도금 장비는 이러한 문제들을 극복하면서 화합물 반도체의 용량과 고급 성능에 대한 점증하는 요구 사항을 충족한다”고 설명했다.

ACM리서치는 최근 중국 화합물 반도체 업체로부터 Ultra ECP GIII 2기를 수주받았다.