1y 나노 이하 D램이나 128층 이상 3D 낸드에도 활용 가능
ACM리서치는 반도체 웨이퍼 세정 시스템 'Ultra C' 제품군에 싱글 웨이퍼 장비 'Ultra C VI'를 추가했다고 22일 밝혔다.
Ultra C VI는 1y 나노 이하 D램과 128층 이상 3차원(3D) 낸드 생산라인에도 사용 가능하다. 18개의 챔버를 갖추고 있어 처리량(Throughput)이 높지만, 12개 챔버였던 기존 'Ultra C V' 시스템보다 길이만 소폭 늘어났고 너비는 그대로다.
이 장비는 배선 전공정(BEOL) 폴리머 제거, 텅스텐 또는 구리 루프 사후 세정, 선 증착 세정, 사후 식각, 사후 화학적기계연마(CMP) 세정, 심층 및 비아(via) 세정 그리고 RCA 표준 세정 등 다양한 단계에서 활용 가능하다.
세정 중 표준 세척제(SC1, SC2), 불화수소산(HF), 오존화 탈이온수(DI-O3), 희석된 과산화황 혼합제(DSP, DSP+), 용제 세척제 또는 기타 공정 화학 물질을 포함해 여러 화학 조합을 사용할 수 있다. 최대 두 가지 화학물질을 회수해 재사용할 수 있어 전반적인 유지 비용을 줄여준다.
Ultra C VI는 이중 유체 질소(N2) 스프레이 세정 또는 ACM의 독점적인 SAPS 및 TEBO 메가소닉 세정 기술과 같은 선택적 물리적 보조 세정 방법을 수용할 수 있다. 가로·세로 비율이 높은 패턴 웨이퍼에도 적용할 수 있는 이소프로필알코올(IPA) 건조 기능도 제공한다.
ACM은 평가 및 자격을 위해 이 장비를 3분기 주요 메모리 제조업체에 공급할 계획이다.
데이비드 왕(David Wang) ACM 사장 겸 최고경영자(CEO)는 “메모리 디바이스의 복잡성은 증가하고 있지만 여전히 엄격한 생산 처리량 요구사항들을 갖고 있다"며 "추가적인 세정 챔버를 통해 첨단 메모리 디바이스 제조업체들은 보다 긴 공정 레시피와 보다 정교한 건조 기술을 구현하는 동시에 생산 주기 시간을 유지하거나 단축할 수 있다"고 말했다.