삼성전자가 '시스템반도체 비전 2030' 달성을 위한 투자를 대폭 확대한다.

2030년까지 시스템 반도체 부문 투자금액을 171조원으로 늘려 파운드리 공정 연구개발 및 시설 투자를 가속화한다. 평택캠퍼스 P3 라인은 내년 하반기 완공 예정이다. 

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 시스템 반도체 분야 추가 투자계획을 발표했다.

시스템 반도체 비전 2030은 삼성전자가 2030년까지 파운드리를 포함한 시스템 반도체 부문 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 담고 있다. 삼성전자는 2019년 4월 '시스템 반도체 비전 선포식'에서 시스템 반도체 분야에 133조원을 투자한다는 계획을 밝힌 바 있다. 이번 발표는 기존 투자계획에서 38조원 확대된 규모다.

평택캠퍼스 P3라인은 2022년 하반기에 완공하고 생산에 들어간다는 계획이다. 클린룸 규모는 축구장 면적 25개 크기다. P3 생산라인은 연면적 70만㎡(약 21만 평)로, P2 라인 대비 1.75배 규모가 크다. 삼성전자는 이곳에 EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다는 계획이다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동 관리된다.

삼성전자는 앞으로 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나간다는 계획이다. 메모리와 시스템 반도체를 융합한 'HBM-PIM'과 D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술도 개발해 나갈 예정이다. 

삼성전자는 이날 시스템 반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 지원 계획도 밝혔다. 팹리스를 대상으로 IP(설계자산)을 공유하고 시제품 생산을 지원한다. 

김기남 삼성전자 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기보다는, 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다"고 강조했다.