SiC(실리콘 카바이드) 전력 반도체 선도기업인 유나이티드SiC(UnitedSiC)는 최첨단 4세대 SiC FET 기술 플랫폼을 기반으로 한 첫 신제품 4종을 출시했다고 8일 밝혔다.

4세대 SiC FET 기술 성능 및 특징

현재 시장에 출시된 최초이자 유일한 750V SiC FET인 이들 4세대 제품은 자동차, 산업용 충전, 텔레콤 정류기, 데이터 센터 PFC 및 DC-DC 변환을 비롯해 재생 에너지 및 에너지 저장과 같은 전력 애플리케이션에 이점을 제공하는 선도적인 FoM(Figure of Merit)을 기반으로 새로운 성능 수준을 지원한다.

18mΩ 및 60mΩ 옵션으로 이용이 가능한 이들 SiC FET신제품은 단위 면적당 온저항 감소와 낮은 고유 커패시턴스(intrinsic capacitance)로 타의 추종을 불허하는 FoM을 제공한다. 하드 스위칭 애플리케이션에서 4세대 FET는 가장 낮은 RDS(on) x EOSS(mΩ -uJ)를 나타내어 턴온 및 턴오프 손실을 낮춘다. 소프트 스위칭 애플리케이션에서 낮은 RDS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 사양은 낮은 전도 손실과 높은 주파수를 제공한다. 이들 제품은 저온(25°C) 또는 고온(125°C) 동작 모두에서 기존의 경쟁 SiC MOSFET의 성능을 능가할 뿐만 아니라 낮은 데드 타임 손실과 향상된 효율성을 제공하는 탁월한 역 회복 기능을 갖춘 최저 통합 다이오드 VF를 제공한다.

UnitedSiC의 제품군을 750V로 확장하면서 이들 신제품은 더 많은 설계 헤드룸을 제공하고 설계 제약을 줄여준다. VDS 정격 또한 높기 때문에 400/500V 버스 전압 애플리케이션에 유용하다. +/- 20V, 5V Vth의 널리 호환되는 게이트 드라이브로 모든 장치를 0 ~ + 12V 게이트 전압으로 구동할 수 있다. 따라서, 기존 SiC MOSFET, Si IGBT 및 Si MOSFET 게이트 드라이버와 함께 연동이 가능하다.

아눕 발라(Anup Bhalla) UnitedSiC 엔지니어링 부사장은 “이번에 발표한 신제품들은 DC-DC 변환 및 온보드 충전에서 역률 보정 및 태양 광 인버터에 이르기까지 전압 및 전력 수요가 가장 높은 분야에서 작업하는 엔지니어들이 직면한 문제를 해결하는데 도움을 줄 수 있다”며 “올해 비용 효율성, 열 효율성 및 설계 헤드룸을 더욱 개선할 새로운 4세대 제품을 많이 선보일 예정이다. 이는 상용화 과제를 극복하고 혁신을 가속화하는데 있어 모든 부문을 지원할 것”이라고 밝혔다.

제품별 제공 스펙

현재 SiC FET 4개 신제품은 공식 대리점을 통해 구입할 수 있다.

UnitedSiC