시안이공대-이쓰웨이 공동 개발

중국에서 처음으로 12인치 웨이퍼를 생산할 수 있는 설비가 개발됐다. 

중국 언론 IT즈자에 따르면 중국 처음으로 12인치 웨이퍼 성장 설비가 시안에서 시가동에 성공했다. 이 설비는 시안이공대학과 시안이쓰웨이(奕斯伟)설비기술유한회사(이하 이쓰웨이)가 공동으로 개발했다.

시가동으로 만들어낸 단결정실리콘 잉곳 길이는 2.1m로, 직경이 300mm, 즉 12인치다.  

중국 칩 제조 산업에서 12인치 웨이퍼를 생산하는 핵심 기술을 확보했다는 점에서 중요한 의미를 갖는 것으로 평가됐다. 

이 12인치 웨이퍼 절삭으로 28nm 이하 공정 칩 제조에 적용할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 

 

이쓰웨이의 설비 생산 이미지. /이쓰웨이 제공 
이쓰웨이의 설비 생산 이미지. /이쓰웨이 제공 

 

이 개발은 시안이공대학의 류딩(刘丁) 교수팀이 리드했다. 류 교수는 반도체 실리콘 성장 영역에서 다양한 경험을 보유한 전문가로서, 여러 국가 프로젝트를 추진하고 있다. 

이쓰웨이에 따르면 단결정실리콘 잉곳 제작을 위해선 고순도 다결정실리콘을 석영 도가니에 주입하는 일이며, 1400도씨까지 가열된다. 이후 웨이퍼 제조까지 다양한 기술이 적용된다. 

이쓰웨이는 시안에 실리콘 생산기지를 보유하고 있으며, 이번 12인치 성장 설비 제조를 통해 향후 중국 반도체 산업의 공백을 보완할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 

최근까지 일본, 대만, 독일, 한국 등 5대 기업이 12인치 웨이퍼 시장의 98% 이상 점유율을 차지하고 있는 가운데 중국산 입지를 넓힐 수 있을 지 관건이다. 

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