TSMC가 지난 주 열린 기업설명회에서 올해 자본 지출금액을 150억~160억 달러(약 17조5200억~18조6880억 원)으로 잡았다. 이중 80%의 금액을 3nm, 5nm, 7nm 등 첨단 공정 생산능력 확장에 사용할 계획이다. 

18조 여원의 80%는 14조 여 원이다. TSMC는 3nm 공정 상황을 소개하지 않았으며 4월 발표회를 통해 3nm 공정 상황을 공개할 것이라고 설명했다. 

TSMC의 3nm 공정이 최종적으로 어떤 기술을 선택했는지는 반도체 산업의 핵심 이슈다. 최근 3nm 노드에 진입한 기업은 TSMC와 삼성전자뿐이며 삼성전자는 지난해 3nm 공정을 발표하면서 핀펫(FinFET) 방식을 버리고 GAA 기술을 채택했다. 

구체적으로 삼성전자의 3nm 공정은 3GAE, 3GAP로 나뉘며 3GAP 성능이 더 낫다. 하지만 첫 발표 제품은 1세대 GAA 트랜지스터 공정 3GAE다. 공식 설명에 따르면 신규 GAA 트랜지스터 구조를 기반으로 삼성전자는 나노미터 설비 제조를 통해 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)를 만들었다. 이 기술은 트랜지스터 성능을 현격히 증강시키면서 핀펫 트랜지스터 기술을 대체했다. 

이외 MBCFET 기술은 기존 핀펫 제조 공정 기술과 장비를 겸용할 수 있으며 공정 개발과 생산을 가속시킬 수 있는 것으로 알려졌다.