국내 기업이 차세대 무선통신(RF) 반도체 재료인 질화갈륨-온-다이아몬드(GaN-on-Diamond) 증착 기술을 국내 최초로 개발했다.질화갈륨-온-다이아몬드는 방열 특성이 월등히 좋아 고성능·고열·고전압 이동통신 설비에 적합하다. 회사는 향후 전체 생산 공정 및 각 공정별 장비를 개발해 질화갈륨-온-다이아몬드를 기반으로 한 RF 부품을 출시할 계획이다. RFHIC, 질화갈륨-온-다이아몬드 대면적 증착 성공RFHIC(대표 조덕수)는 최근 4인치 질화갈륨-온-다이아몬드 웨이퍼 제조 기술을 개발했다고 2일 밝혔다. RF 반도체는 다른