TSMC가 5조 원 규모의 설비투자 금액을 승인한 동시에 차세대 메모리 반도체 전문가를 영입했다. 

대만 공상시보에 따르면 TSMC는 14일 분기 이사회를 열고 1364억 대만달러(약 5조59억 원) 규모의 예산안을 승인했다. 이 자금은 주로 신규 공장 건설과 생산 능력 확대에 쓰인다. 자회사인 TSMC 글로벌(TSMC Global Ltd.)에 20억 달러(약 2조 2,620억 원)를 증자해 외환 리스크 회피 자금으로도 쓴다. 이외에 덴버대학(University of Denver)의 전기엔지니어링 전공 황한선(黄汉森) 종신 교수를 연구조직 책임자로 영입했다. 업계에서는 TSMC가 9월에 새 인사를 영입할 것이란 설이 퍼진 상황이었다. 

TSMC 창업자인 모리스 창 회장 퇴임 후 류더인(刘德音) 회장이 이사회 이사를, 웨이저자(魏哲家)가 이사장 겸 총재를 맡아오고 있다. 업계 관계자들은 두 경영자의 역할 분담이 갈수록 명확해지고 있으며 9월 인사 조정이 있을 것으로 내다본다. 부총경리인 왕졘광(王建光)이 파운드리 공장 운영을 책임지면서 왕잉랑(王英郎) 부총경리가 모든 12인치 공장 운영을 담당하게 될 것으로 예측되고 있다. 

▲TSMC 이미지. /TSMC 제공 

공정 연구개발에 있어 TSMC 이사회는 황한선씨를 부총경리로 임명하는 안을 비준했다. 황한선씨는 기술연구 조직(Corporate Research) 책임자(주관)를 맡는다. 황 부총경리는 미국 리하이 대학(Lehigh University)에서 전기엔지니어링 박사 학위를 받았으며 TSMC로 오기 이전 덴버대학에서 전기엔지니어링시스템 종신 교수로 다년 간 재임했다. IBM 반도체 부문에도 16년간 몸 담았다. 

업계 전문가들은 황 부총경리가 새로운 형태의 메모리 반도체 기술 연구개발 전문가라는 점에 주목하고 있다. 현 단계에서 임베디드 플래시 메모리(eFlash) 제조 공정 기술이 병목 현상을 겪고 있어 황 부총경리가 eMRAM 기술과 eRPRAM 기술 등 차세대 임베디드 비휘발성 메모리 기술 개발을 이뤄낼 지에 이목이 쏠리고 있다. 

TSMC 이사회는 1364억 대만달러 규모의 자본은 주로 공장 건설과 설비 확충 및 첨단 공정 설비 확대에 쓰인다. 4분기 연구개발 자본 예산 등에도 사용된다. 

내년 이뤄질 최대 규모 투자는 난커(南科)에 짓게 될 5nm 12인치 웨이퍼 공장 팹18로 총 250억 달러가 투입된다. TSMC의 7nm 공정은 이미 양산에 들어갔으며 극자외선(EUV) 기술을 지원하는 7+ nm 공정의 경우 연구개발을 완료해 내년 양산에 돌입한다. 이어 차세대 5nm 연구개발도 순조롭게 진행되고 있으며 2020년 양산에 들어간다.