ST마이크로-레티, 'GaN-on-Si' 상용화 맞손
ST마이크로-레티, 'GaN-on-Si' 상용화 맞손
  • 김주연 기자
  • 승인 2018.10.15 16:03
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와이드밴드갭(WBG) 제품군 확대… 2020년 양산 목표

ST마이크로와 프랑스 전자정보기술연구소(Leti)가 ‘갈륨나이트라이드-온-실리콘(GaN-on-Si)’ 기술 상용화를 위해 손을 잡았다. 


ST마이크로일렉트로닉스(지사장 박준식)와 프랑스 원자력청(CEA) 산하 레티는 전력 변환(power switching) 기기용 ‘GaN-on-Si’ 기술 상용화에 협력한다고 15일 밝혔다.



‘GaN-on-Si’는 와이드밴드갭(WBG) 소재인 갈륨나이트라이드가 올라간 실리콘 웨이퍼로, 고전력·고효율의 특성을 보인다. 하이브리드(HEV) 및 전기차(EV) 등에 들어가는 내장형 충전기, 무선충전, 서버 등에 적합하다. 


양사는 200㎜ GaN-on-Si 웨이퍼 위에 다이오드 및 트랜지스터 구조를 개발, 검증하는 데 중점 협력한다.


ST마이크로와 레티는 프랑스 기술연구소(IRT) 나노일렉(Nanoelec)의 프레임워크(Framework) 내에서 레티의 200㎜ 연구개발(R&D) 라인을 활용해 공정 기술을 개발, 내년 엔지니어링 샘플을 검증할 계획이다.


이와 동시에 ST마이크로는 2020년 프랑스 투르(Tours) 소재 전공정 생산 라인에서 초도 생산을 진행할 수 있도록 GaN/Si 이종 성장(hetero-epitaxy) 공정 등 완전한 제조라인을 구축할 예정이다.


양사는 또 고전력·고밀도 전력 모듈 조립시 기기 후공정을 개선해주는 기법 등을 연구 중이다.


마르코 몬티(Marco Monti) ST마이크로 오토모티브 및 디스크리트 그룹 사장은 “WBG 반도체는 엄청난 가치를 지니고 있다”며 “이번 협업으로 신뢰할 수 있는 고품질 제품을 양산할 수 있는 역량 외에도 WBG 제품 및 성능 측면에서 업계에서 가장 폭넓은 제품군을 확보하게 됐다”고 말했다.



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