SK하이닉스가 경기도 이천 14라인에 구축 중인 18나노미터(nm) D램 양산 채비를 마치고 다음달부터 본격 생산에 돌입한다. 삼성전자가 지난 연말부터 18나노 D램 생산량을 늘리고 있어 10나노대 D램 시장이 대폭 확대될 전망이다. 낸드플래시는 시간을 두고 투자를 결정할 계획이다. 

17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이번달 안에 D램용 14라인 공장 1층(28층 기준 3층)을 모두 채우고 다음달부터 풀캐파(Full Capacity)로 가동할 계획이다. 이 공장에서 출하되는 D램은 월 생산량 기준 총 8만장 수준으로 늘어난다. 지난해보다 약 2만5000장 가량 늘어난 수치다. 

SK하이닉스가 D램 생산에 속도를 붙이는 이유는 예상보다 기술 개발이 빨랐던 덕분이다. 18나노 D램 공정에는 극자외선(EUV) 노광(리소그래피) 장비를 일부 쓴다. 패터닝이 어려운 부분을 장비가 커버해줄 수 있다.  

영업 측면에서는 상반기 출시되는 스마트폰의 D램 용량 수요를 잡기 위해서다. 

지난해 하반기 중국 비보·오포·샤오미 등이 6GB 램 스마트폰을 선보인데 이어 올해는 8GB 램을 장착한 제품들이 출시된다. 에이수스는 이달 초 열린 '국제전자제품박람회(CES) 2017'에서 증강현실(AR) 스마트폰 '젠폰(Zenfone)4'를 출시하면서 8GB 램을 사용했다고 밝혔다.  LG전자 'G6', 샤오미 '미(Mi)6' 등도 8GB램 버전을 내놓을 예정이다. 중저가 스마트폰은 4GB로 업그레이드 된다. 

PC용 D램은 지난해에 이어 올해도 수요가 견조하다. 시장조사기관 D램익스체인지에 따르면 평균 18달러를 기록한 지난 10월말 DDR3 4GB와 DDR4 4GB 모듈 고정거래선 가격은 이번 1분기 20달러로 오를 전망이다. 

SK하이닉스는 올해 D램 비트그로스(Bit Growth, 비트 기준 메모리 용량 증가율)를 10%대 후반, 20% 미만으로 예측했다. 약 17~19% 수준으로 잡았다.  

3D 낸드플래시 투자는 언제? 

SK하이닉스는 D램 생산에 드라이브를 거는 대신 3D 낸드플래시 투자는 보수적으로 결정할 계획이다. 현재 14라인 2층(28층 기준 7층)에 진행 중인 1단계 투자도 속도를 조절하고 있다. 

이유는 역시 채산성이다. 48단 제품을 소량 생산 중이지만 이마저도 아직 황금 수율을 확보하지 못했고, 48단으로는 수익을 내기 어렵다. 삼성전자 64단을 뛰어넘을 전략 제품인 72단은 여전히 개발 중이다.

다행히 경쟁사인 마이크론과 도시바 역시 투자 일정을 늦추고 있다. 도시바와 샌디스크(웨스턴디지털)는 올해 중순 이후 투자 결정을 한다는 방침이다. 

업계 관계자는 "SK하이닉스가 올해 3D 낸드에 투자한다는 건 원칙적인 차원"이라고 전했다.