키옥시아는 9세대 ‘BiCS 플래시’ 기술을 적용한 512Gb TLC(트리플 레벨 셀) 3D 낸드 샘플 공급을 시작했다고 28일 밝혔다. 

키옥시아는 2025 회계연도(2025년 4월 1일부터 2026년 3월 31일까지) 안에 양산을 시작할 계획이다. 중저용량 수준에서 고성능 및 높은 전력 효율이 필요한 기기에 적합하다. 회사측은 특히 AI시스템에서 GPU 효율성을 극대화하기 위한 기업용 SSD(솔리드스테이트 드라이브)가 주요 타깃이라고 설명했다. 

이 제품은 5세대 BiCS 플래시 기술과 최신 CMOS 공정을 기반으로 120층을 쌓았다. CBA(COMS directly Bonded to Array) 기술을 활용했다. CBA는 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 별도로 제조해 접합하는 기술이다. 

회사측은 신제품이 이전 제품보다 쓰기 성능은 61%, 읽기 성능은 12% 향상됐고, 쓰기 및 읽기 전력 소비량은 각각 36%, 27% 개선됐다고 밝혔다. ‘토글(Toggle) DDR6.0’ 인터페이스를 도입, 3.6Gbps(초당 기가비트) 전송 속도를 구현했다. 평면 회로 배치 기술도 발전시켜 비트 밀도도 8% 증가됐다. 

키옥시아는 9세대 BiCS 플래시 제품과 동시에 10세대 BiCS 플래시 제품에 투자하는 듀얼 축 전략을 구사하고 있다. 10세대 BiCS 플래시는 고용량 및 고성능 수요를 위해 레이어 수를 늘린 제품이다. 이 회사는 올해 2월 열린 국제 반도체 학술대회 ‘ISSCC 2025’에서 10세대 BiCS 플래시 기술을 발표한 바 있다. 해당 제품은 낸드 I/O(입출력) 인터페이스 속도가 초당 4.8Gbps로 향상됐다. 

한편 삼성전자는 9세대 286단 'V9' 3D 낸드플래시를 양산 중이고, SK하이닉스는 321단 4D TLC를 생산하고 있다.