반도체 웨이퍼 처리 솔루션 전문기업인 ACM 리서치(ACM Research)는 주력 제품인 Ultra C 타호(Tahoe) 세정 장비의 성능을 크게 향상시켰다고 21일 발표했다. 

Ultra C 타호는 중저온 과산화황 혼합물(sulfuric peroxide mix, SPM) 공정에서 독립형 싱글 웨이퍼 세정 장비의 성능을 구현한다. 타호의 하이브리드 아키텍처는 배치 웨이퍼 처리(batch wafer processing)와 싱글 웨이퍼 세정 챔버를 동일한 SPM 툴에 결합한 제품이다. 이 하이브리드 아키텍처는 향상된 세정 성능, 높은 처리량, 우수한 공정 유연성을 제공하며 화학약품 사용을 최대 75%까지 줄인다.

이에 따라 황산 사용 절감만으로 연간 최대 50만 달러의 비용을 절감할 수 있으며 처리 및 폐기물 감소 효과도 누릴 수 있을 것으로 ACM은 예상한다.

업그레이드된 Ultra C 타호는 현재 중국 내 여러 고객들의 양산 시설에서 활용되고 있다. 이 외에도 몇몇 로직 및 메모리 고객들이 이 장비를 평가하고 있으며, 2024년 말까지 추가적인 장비를 공급하게 될 것으로 ACM은 기대하고 있다.

업그레이드된 Ultra C 타호 장비는 우선 파티클 제거 성능을 향상시켰다. 타호 플랫폼의 첨단 세정 기능은 26nm에서 평균 입자 수를 6개 이하로 달성해 첨단 노드 제조 환경의 엄격한 요구 사항을 충족한다. 또 더 미세한 입자에 대한 필터링 시스템이 추가돼 최첨단 로직 및 메모리 애플리케이션을 위한 10nm대 크기의 입자를 제거할 수 있다.

더 높아진 처리량도 탁월하다. 벤치 모듈의 슬롯 수가 기존 13개에서 25개로, 싱글 웨이퍼 챔버는 기존 8개에서 9개로 각각 늘어나 시간당 200개 이상의 웨이퍼 처리가 가능해졌는데, 이는 12챔버 SPM 시스템의 성능에 견줄 만하다.

이밖에 확장된 프로세스 성능을 꼽을 수 있다. LDD(lightly-doped drain) 및 SD(source/drain)와 같은 주요 루프를 포함해 30개 이상의 생산 레이어에 대한 인증을 받았으며, 이 외에도 추가적 레이어 및 애플리케이션이 현재 개발 중이다.

싱글 웨이퍼 세정의 유연성도 향상시켰다. 옵션 구성에는 새로운 제트 스프레이 기술, ACM의 특허 받은 SAPS/TEBO 기술, HOT IPA 건조 기술 등이 포함돼 있어 여러 공정 애플리케이션에서 장비의 활용성을 높여준다.