아직 8인치 공정 침투율도 낮은 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 시장에 12인치 SiC 웨이퍼가 등장했다. 

시장조사업체 트렌드포스는 SICC가 최근 개최된 ‘세미콘유럽 2024’에서 12인치 크기의 SiC 웨이퍼를 전시했다고 20일 밝혔다. SiC는 주로 고출력⋅고내열 전력반도체를 생산하는데 사용하는 기판 소재다. 현재 글로벌 전력반도체 기업들은 대부분 6인치 공정을 사용하고 있고, 이제 막 8인치로의 전환이 이뤄지고 있다. 

트렌드포스에 따르면 SiC 전력반도체 시장에서 8인치 공정 점유율은 아직 2% 미만이다. 오는 2026년쯤 15% 정도로 성장할 것으로 예상된다. 

따라서 이번에 SICC가 12인치 웨이퍼를 공개한 건 실제 양산 투입 목적 보다는 기술 과시용으로 들고 나왔을 것으로 추정된다. 중국은 정부 차원에서 전력반도체 분야에 많은 보조금을 투입하면서 신생 SiC 업체가 즐비하다. SICC 외에도 세미식⋅탱크블루⋅하이퍼식스 등 최소 16개 업체가 SiC 8인치 웨이퍼 생산에 투자하고 있다(<중국, 8인치 SiC 웨이퍼⋅에피 업체만 최소 16개> 참조). 

다만 이들 가운데 아직 8인치 SiC 기판을 대량으로 찍어내는 곳은 없다. 대부분 파일럿 생산규모 수준이다. 이런 상황에서 12인치 웨이퍼를 공개함으로써 수요 기업들의 시선을 잡아 끌 수 있다. 

SiC를 포함해 모든 반도체 기판은 직경이 커질수록 칩 1개당 공정 비용은 감소한다. 넓은 기판 면적을 이용해 한 번에 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문이다. 8인치 웨이퍼는 6인치 대비 1.8배 넓고, 12인치 웨이퍼는 8인치 대비 2.25배 넓다.