자동차용 반도체 업계 3위인 일본 르네사스가 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력반도체 업체 트랜스폼을 인수했다. 

르네사스는 미국 트랜스폼 지분 100%를 3억3900만달러(약 4400억원)에 인수한다고 11일 밝혔다. 인수 작업은 일본⋅미국 당국 승인을 거쳐 오는 하반기 완료될 예정이다. 

트랜스폼은 전기모터⋅충전기 등에 쓰이는 전력반도체 생산에 특화된 기업이다. SiC(탄화규소, 실리콘카바이드)와 함께 와이드밴드갭 소재로 꼽히는 GaN 반도체 경쟁력이 높다. 와이드밴드갭 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반 반도체 대비 내열성이 뛰어나고 고압⋅고주파수 환경에서도 높은 전력효율을 유지한다. 

특히 GaN은 SiC보다 신호변환 속도가 빨라 고주파용 통신 시스템이나 전기자동차용 전력 시스템에 적합하다. 아직 SiC 만큼 시장이 개화하지 않았으나 인피니언⋅ST마이크로 등 전통의 전력반도체 기업들이 GaN 경쟁력을 확보하려하는 이유다. 

르네사스는 네덜란드 NXP, 독일 인피니언에 이은 자동차용 반도체 시장 3위 기업이다. 향후 자동차용 전력반도체 시장에서 GaN 애플리케이션이 확대될 것으로 보고 트랜스폼을 인수하는 것으로 보인다.