인도 최초의 반도체 팹 건설을 추진 중인 베단타-폭스콘그룹 합작사가 40nm(나노미터) 투자를 조건으로 보조금을 신청한다고 디지타임스가 28일 보도했다. 지난해 두 회사는 인도 구자라트주에 28~40nm급 파운드리 생산라인을 짓기로 합의 하고, 합작사(베단타-폭스콘세미컨덕터)를 통해 인도 정부에 보조금을 신청키로 한 바 있다. 

당시 인도 정부의 보조금 지급 조건이 ‘28nm 이하’ 프로젝트에 대해 투자비의 50%를 보조한다는 게 골자여서 28nm 투자 방안을 제시한 것이다. 그러나 베단타는 반도체 사업 경험이 전무하고, 폭스콘 역시 28nm를 생산할 기술력은 보유하고 있지 않다. 이 때문에 합작사가 보조금 신청을 위해 무리한 프로젝트를 추진한다는 목소리가 높았다. 

이에 인도 정부는 지난해 9월 보조금 지원 정책을 바꿨다. 생산 노드에 상관 없이 모든 팹 건설 프로젝트에 건축비의 절반을 보조하기로 한 것이다. 이에 베단타-폭스콘은 당초 보조금 신청서에 넣기로 했던 28nm 생산 계획을 삭제하고, 40nm만 넣어 신청서를 재작성했다고 디지타임스는 설명했다.

28⋅40nm는 CIS(이미지센서)와 DDI(디스플레이구동칩) 같은 IT용 애플리케이션은 물론 자동차 MCU(마이크로컨트롤러유닛), 각종 센서 생산에 폭넓게 쓰이는 기술이다. 20nm 아래로 내려가기 위해서는 3차원 게이트 구조인 ‘핀펫’을 도입해야 한다는 점에서 28nm까지가 2차원 ‘가성비’ 공정으로 꼽힌다.  

베탄타-폭스콘세미콘덕터는 인도 정부 보조금 외에 자체적으로 190억달러(약 24조8500억원)를 투자할 계획이다. 반도체 파운드리 외에 디스플레이 생산라인도 건설하겠다고 밝힌 바 있는데, 구체적인 계획이 공개되지는 않았다.