삼성전자⋅SK하이닉스 출신 개발자들이 설립한 미국 반도체 회사가 인텔과 마이크론을 상대로 특허 소송을 제기했다. 두 회사의 3D 메모리반도체 기술이 자사 특허(US7378702)를 침해했다는 이유에서다. 

삼성전자에 10년 앞서 3D 구조 주창한 비상

반도체 기술기업인 비상(Besang)은 지난 23일 인텔⋅마이크론에 대해 각각 오레건 지방법원과 텍사스 지방법원에 특허침해 금지 소송을 제기했다. 비상이 두 회사가 침해했다고 주장한 특허는 US7378702로 동일하다. 

이는 수직형 메모리소자의 구조(Vertical memory device structures)에 관한 것으로, 발명자는 이상윤 비상 대표이사다. 이 대표가 지난 2004년 출원했으며, 현재 이 특허의 소유권은 비상에 귀속돼 있다. 미국서 발명특허의 존속기간은 20년이다. 내년 6월 특허로서의 효력이 만료된다. 

국내서는 KR100889365B1, KR100904771B1, KR100975332B1 등 15건의 특허가 US7378702의 패밀리특허로 등록됐다. 패밀리특허란 자국(미국)에서 출원한 특허를 기초로 해외(한국)에서 동일하게 출원한 것을 의미한다. 

두 건의 소송 모두 최근 들어 케이스를 시작한 만큼, 아직 구체적인 절차는 시작되지 않은 것으로 추정된다. 

비상은 삼성전자⋅모토로라 출신의 이상윤 대표(전기공학 박사)가 2000년대 초 미국 오레건에 설립한 반도체 기술 전문 기업이다. 당시는 D램은 물론 낸드플래시 분야에서도 셀을 수직으로 적층하는 3D 기술이 통용되지 않을 때다. 아직 미세공정 개발을 통해 수평으로 셀을 오밀조밀 놓아도 충분하게 ‘무어의 법칙’을 달성할 수 있었기 때문이다. 

따라서 당시 메모리반도체 분야에 3D 기술을 도입하겠다던 비상의 목표는 크게 주목받지 못했다. 이후 약 10여년만인 2013년 8월, 삼성전자가 세계서 처음 3D 기술을 낸드플래시(24단)에 적용했다. 

비상에는 역시 삼성전자 출신인 박준일씨가 부사장으로, R&D(연구개발)를 담당하고 있다. 상근 경영진은 아니지만 오춘식 전 하이닉스(현 SK하이닉스) CTO 역시 이사회에 참여하고 있다. 

오 전 CTO는 하이닉스가 SK텔레콤에 인수되기 전 채권단 공동관리(워크아웃) 기간에 CEO 후보로도 거론된 인사다. 김종갑 전 산업자원부 차관이 CEO로 최종 지명되자 2007년 회사를 나왔다. 

이 밖에 고요환 전 SK하이닉스 전무는 이사회 고문으로 등록돼 있다. 고 전 전무는 SK하이닉스에서 D램 및 낸드플래시 설계를 담당한 바 있다.

통상 미국에서 시작되는 반도체 특허 소송은 삼성전자⋅SK하이닉스에까지 확전되는 사례가 많다. 다만 SK하이닉스의 경우, 지난 2013년 비상과 3D 메모리반도체 기술과 관련해 광범위한 라이선스를 체결한 바 있다. 삼성전자와는 라이선스를 체결한 기록이 없다.

한 반도체 산업 전문가는 “지금은 상식이 된 3D 셀 적층 기술은 2000년대 초에는 미세공정 한계를 돌파하는 여러 후보기술 중 하나였다”며 “인텔⋅마이크론 두 회사 모두 관련 기술을 광범위하게 활용하는 만큼 실제 법원의 판단이 어떻게 나올지 주목된다”고 말했다.