온세미는 실리콘 카바이드(SiC) 신제품군으로 '엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC)'를 4일 공개했다.

온세미는 미국 라스베가스에서 열리는 소비자 전자제품 박람회(CES)에서 새로운 제품 3가지인 1700 V EliteSiC MOSFET 및 1700V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(Schottky diode) 2개를 선보일 예정이다. 신제품은 에너지 인프라 및 산업용 응용시스템을 위해 신뢰할 수 있는 고효율 성능을 제공한다. 

온세미의 1700V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1)는 고전력 산업용 응용 시스템에 필요한 더 높은 항복 전압(BV) SiC 솔루션이다. 또 1700V급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(NDSH25170A, NDSH10170A) 2개를 통해 설계자는 SiC로 고효율을 제공하면서 고온에서 안정적인 고전압 작동을 달성할 수 있다.

재생 에너지 애플리케이션은 1100V ~ 1500V DC 버스(Bus)의 태양광 시스템을 통해 더 높은 전압으로 이동한다. 이런 변화를 지원하기 위해 소비자는 더 높은 BV를 갖춘 MOSFET이 필요하다. 새로운 1700V EliteSiC MOSFET은 -15V/25V의 최대 Vgs 범위를 제공하고, 게이트 전압이 -10V까지 변동하는 빠른 스위칭 애플리케이션에 적합하여 향상된 시스템 신뢰성을 구현한다.

40A(Amps)에서 1200V의 테스트 조건에서 1700V EliteSiC MOSFET은 200nC의 게이트 전하(Qg)를 달성한다. 이는 300nC에 가까운 동급 경쟁 디바이스와 비교해 시장을 선도하는 성능이다. 

1700V의 BV 정격에서 EliteSiC 쇼트키 다이오드 디바이스는 최대 역 전압(VRRM)과 다이오드의 피크 반복 역 전압 사이에서 향상된 마진을 제공한다. 또한 새로운 디바이스는 25°C에서 40µA, 175°C에서 100µA의 최대 역방향 전류(IR)로 우수한 역 누설 성능을 구현한다.