자동차용 반도체 2위 공급사인 인피니언이 R램(Resistive Random Access Memory)을 활용한 MCU(마이크로컨트롤러유닛)를 양산한다. R램은 플래시 메모리처럼 전원 공급이 끊겨도 정보가 소실되지 않는 차세대 비휘발성 메모리다. 

인피니언은 TSMC의 28nm(나노미터) R램 공정을 활용해 자동차용 MCU(모델명 TC4x)를 개발했다고 28일 밝혔다. TC4x는 자동차 ADAS(첨단운전자보조장치) 등에 장착되는 MCU다. 지금은 같은 28nm 공정의 e플래시(임베디드 플래시) 기술을 적용해 생산하고 있지만, 내년 연말쯤 R램을 적용한 샘플을 고객사에 인도할 계획이다. 

e플래시는 정보를 처리하는 시스템반도체 내에 정보를 저장할 수 있도록 같은 반도체 다이 상에 플래시 메모리를 구현한 것이다. 인피니언은 이 e플래시를 R램으로 바꿈으로써 효율을 높이고 28nm 이후 공정으로 전환하기 용이해질 것으로 기대하고 있다. 

R램은 부도체, 혹은 반도체 내의 저항변화를 이용해 정보를 저장하는 원리다. 셀 구조가 간단해 상대적으로 고집적 구조로 만들기 쉽다. 정보 저장 속도도 플래시 메모리는 물론 D램보다도 빠르다. 

다만 소자 특성이 균일하지 못하고, 메모리 반도체 인프라가 D램에 집중돼 있는 탓에 R램이 실제 애플리케이션으로 양산되는 경우는 드물었다. 내년에 인피니언이 R램 기술을 적용한 MCU 샘플을 내놓고 내후년 양산하면 자동차 산업에 R램 기술이 도입되는 첫 사례로 기록될 전망이다. 

TSMC는 지난 2018년부터 40nm 공정을 활용한 e플래시 기술을 제공하고 있으며, 2021년 이후로는 40nm R램 기술도 제공하고 있다. 이미 IoT(사물인터넷)용으로는 22nm 및 28nm R램을 양산하고 있다.