로옴(ROHM)이 기지국·데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 사물 인터넷(IoT) 통신기기의 전원 회로용으로 업계 최고 수준인 8V까지 게이트 내압(게이트 - 소스 정격 전압)을 높인 150V 내압 GaN HEMT ‘GNE10xxTB 시리즈(GNE1040TB)’의 양산 체제를 확립했다고 23일 밝혔다.

통상 GaN 디바이스는 게이트 내압이 낮아 스위칭 시 디바이스 신뢰성에 대한 과제가 있었다. 이번 신제품은 이같은 문제를 해결하기 위해 독자적 구조를 통해 게이트-소스 정격 전압을 6V에서 8V까지 높이는 데 성공했다. 이에 따라 스위칭시 6V를 넘는 오버슈트 전압이 발생하더라도 열화하지 않아 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰화에 기여한다. 또 대전류 대응 및 방열성이 우수하고 범용성이 높은 패키지로 제품화해 실장 공정에서 처리가 쉽다.

신제품은 이달 들어 양산 체제를 확립했으며 생산 거점은 전공정 로옴 하마마츠(하마마츠), 후공정 로옴(교토)다. 로옴은 저전력·소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 ‘EcoGaN™’으로 라인업하고, 디바이스 성능을 더 높이기 위해 노력하고 있다.

로옴은 앞으로 ‘Nano Pulse Control™’[4]을 비롯해 아날로그 전원 기술을 활용한 제어 IC 및 이런 기술을 탑재한 모듈 개발을 추진해 GaN 디바이스가 지닌 성능을 최대화하는 파워 솔루션을 제공,할 계획이다.