중국이 차세대 메모리인 ReRAM 양산을 위한 파일럿 라인 운영을 시작했다. 

중국 언론 지웨이왕에 따르면 항저우(杭州) 이노스타(INNOSTAR)가 중국 첫 28/22nm ReRAM 12인치 파일럿 생산라인을 건설하고 자체 개발한 장비의 설치와 검수 작업을 거쳐 공정 테이프아웃과 시생산에 성공했다.

이노스타는 2019년 설립됐으며 ReRAM 신형 메모리 상품과 관련 파생 상품의 연구개발에 주력해왔다. 중국 신형 메모리 기술 선두 기업으로 성장했으며 글로벌 신형 메모리 상품 상업화 최고 속도 기업으로도 평가된다. 

회사가 개발한 ReRAM 메모리는 밀도가 높고, 전력 소모가 낮으면서 읽기와 쓰기 속도가 빠르면서 전원 차단 후 데이터 저장이 가능하다는 특징이 있다. 이는 미래 스토리지 아키텍처의 최종 레벨 캐시(FLC, Final Level Cache)를 형성해 메모리와 외부 메모리 사이의 스토리지 벽을 제거해낸다. 

ReRAM은 잠재적 차세대 메인 메모리로서 인공지능, 산업제어, 소비자 전자 제품, 자동차, 사물인터넷, 클라우드 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 사용될 수 있다. 

기존 CMOS 파운드리는 리소스에 의해 제한될 수 있고 반복 속도가 느려 프로세스 개발 진행에 영향을 미칠 수 있다. 

중국 주요 과학 연구기관의 경우 실험실 단계에서 속도를 높일 수 있지만 12인치 양산 라인이 없어 생산이 어려운 경우가 많았다. 

이에 이노스타는 자체 12인치 파일럿 생산라인을 통해 이 문제를 해결했다. 파운드리 및 연구 강점을 바탕으로 유연한 생산라인과 독립적이고 제어 가능한 지식재산권을 통해 ReRAM을 빠르게 구현하겠단 계획이다. 

중국은 아직 해외와 ReRAM 분야에서 격차가 작고 장벽이 형성되지 않아 메모리 산업에서 추월이 가능할 것으로도 보고 있다. 현재 28/22nm 공정에서 ReRAM 양산을 달성한 업체는 TSMC가 유일하다.