NXP 반도체는 GaN(질화갈륨) 기술을 멀티칩 모듈 플랫폼에 통합해 5G(5세대) 이동통신 에너지 효율성을 크게 향상시켰다고 29일 밝혔다.

에너지 소비 절감은 통신 인프라의 주목표다. 멀티칩 모듈에서의 GaN 기술 도입은 2.6GHz에서의 라인업 효율성을 이전 세대 대비 8% 포인트 높은 52%로 향상했다. NXP는 이것에 더불어 LDMOS와 GaN의 조합을 통해 단일 장치에서 400MHz의 즉각적인 대역폭을 지원함으로써 단일 전력 증폭기로 광대역 무선 장치를 설계할 수 있게 만들었다.

NXP의 5G 멀티 칩 모듈을 통해 에너지 효율성과 광대역 성능을 이용할 수 있다. 새로운 포트폴리오를 통해 RF 개발자는 무선 장치 유닛의 크기 및 중량을 줄일 수 있으며, 이를 통해 모바일네트워크 사업자는 셀룰러 타워와 옥상에 5G를 배치하는 비용을 절감할 수 있게 된다. 모듈은 단일 패키지로 다단계 전송 체인, 50옴 입출력 매칭 네트워크 및 도허티(Doherty) 결합기를 통합하고 더 나아가 NXP는 최신 SiGe 기술을 이용해 바이어스 조절(bias control)까지 지원한다. 새로운 통합 단계는 별도의 아날로그 제어 IC가 필요하지 않으며 전력 증폭기 성능을 보다 엄격하게 모니터링하고 최적화한다.

폴 하트(Paul Hart), NXP 무선 전력 사업 부문 수석 부사장 겸 총괄은 "NXP는 자체 LDMOS, GaN, SiGe 뿐만 아니라 고급 패키징 및 RF 설계 IP를 포함하는 5G 인프라 전용 고유 기술툴박스를 개발했다. 이를 통해 NXP는 각 기술의 이점을 활용하고 사용 사례에 가장 적합한 방식으로 결합할 수 있다”고 말했다.