마우저, 인피니언의 질화갈륨(GaN) 스위칭 소자 유통
마우저, 인피니언의 질화갈륨(GaN) 스위칭 소자 유통
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.02.20 18:16
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실리콘 기반 소자 대비 전력소모 10분의1… 전자 이동도는 2배

마우저일렉트로닉스는 인피니언테크놀로지스의 질화갈륨(GaN) 소자 'CoolGaN 고속 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)'를 공급하기 시작했다고 20일 밝혔다.

 

▲인피니언테크놀로지스의 질화갈륨(GaN) 소자 'CoolGaN 고속 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)'./마우저
▲인피니언테크놀로지스의 질화갈륨(GaN) 소자 'CoolGaN 고속 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)'./마우저

이 제품은 높은 효율과 전력 밀도를 갖춰 반도체 전원 장치 내 스위칭 작업의 속도를 높인다. 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에 모두 활용 가능하며 무선 충전, 스위칭 모드 전원장치(SMPS), 전기통신, 하이퍼스케일 데이터 센터, 서버 같은 시스템에 이상적이다.

질화갈륨 소재로 실리콘 소재로 생산되는 스위칭 장치보다 성능이 뛰어나다. 트랜지스터를 기준으로 출력 전하와 게이트 전하가 10배 낮으며 절연 파괴전계는 10배 높고 전자 이동도는 2배다.

턴온과 턴오프에 최적화돼 새로운 토폴로지와 전류 변조 기술을 바탕으로 혁신적인 스위칭 솔루션을 제공한다.

표면 실장형 패키징 기술이 쓰이며 소형으로 설계돼 설치 공간에 제한이 있는 시스템에도 적용 가능하다.

이 제품은 'EVAL_1EDF_G1_HB_GAN' 및 'EVAL_2500W_PFC_G' 평가 플랫폼의 지원을 받는다. 'EVAL_1EDF_G1_HB_GAN' 보드는 CoolGaN 600V HEMT 및 인피니언의 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 갖춰 변환기·인버터 애플리케이션에 사용되는 범용 하프 브리지 토폴로지에서 고주파 GaN 성능을 평가할 수 있다.

'EVAL_2500W_PFC_G' 보드는 CoolGaN 600V e-모드HEMT, CoolMOS™ C7 골드 초접합 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET), EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 갖췄다. SMPS와 전기통신 정류기 등 에너지가 필수인 애플리케이션에서 시스템 효율을 99% 이상으로 촉진시키는 2.5kW 풀 브리지 역률 보정(PFC) 평가 도구를 제공한다.



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